歷史
場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明，但是實用的器件一直到1952年才被製造出來（結型場效電晶體，Junction-FET，JFET）。1960年Dawan Kahng發明了金氧半導體場效應電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor, MOSFET），從而大部分代替了JFET，對電子行業的發展有著深遠的意義。
電極
所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個端，分別大致對應BTJ的基極（base）、集電極（collector）和發射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個第四端可以將電晶體調製至執行；在電路設計中，很少讓體端發揮大的作用，但是當物理設計一個積體電路的時候，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長度（length）L，是指源和漏的距離。寬度（width）是指電晶體的範圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的柵極限制最高頻率約為5GHz，0.2微米則是約30GHz。
組成
FET由各種半導體構成，目前矽是最常見的。大部分的FET是由傳統塊體半導體制造技術製造，使用單晶半導體矽片作為反應區，或者溝道。