igbt是什麼?
General 更新 2022年9月13日
1、IGBT是絕緣柵雙極型電晶體，是由BJT雙極型三極體和MOS絕緣柵型場效電晶體組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大。MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。
2、IGBT綜合了兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。