PMOS介紹
金氧半導體場效應(MOS)電晶體可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道矽MOS場效應電晶體在N型矽襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時，柵極下的N型矽表面呈現P型反型層，成為連線源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應電晶體稱為P溝道增強型場效應電晶體。如果N型矽襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當的偏壓，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應電晶體稱為P溝道耗盡型場效應電晶體。統稱為PMOS電晶體。