半導體（semiconductor），指常溫下導電效能介於導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。材料的導電性是由“傳導帶”（conduction band）中含有的電子數量決定。當電子從“價帶”（valence band）獲得能量而跳躍至“導電帶”時，電子就可以在帶間任意移動而導電。一般半導體材料的能隙約為1至3電子伏特，通過電子傳導或空穴傳導的方式傳輸電流。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。
方法/步驟
簡介
顧名思義：常溫下導電效能介於導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料，叫做半導體（semiconductor）。
物質存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導電性和導電導熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導電、導熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體。可以簡單的把介於導體和絕緣體之間的材料稱為半導體。與導體和絕緣體相比，半導體材料的發現是最晚的，直到20世紀30年代，當材料的提純技術改進以後，半導體的存在才真正被學術界認可。
半導體 半導體的分類，按照其製造技術可以分為：積體電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，雖然不常用，單還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的訊號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。
定義
電阻率介於金屬和絕緣體之間並有負的電阻溫度係數的物質。
半導體室溫時電阻率約在10E-5～10E7歐·米之間，溫度升高時電阻率指數則減小。
半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。
鍺和矽是最常用的元素半導體；化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物(硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。
半導體（東北方言）：意指半導體收音機，因收音機中的電晶體由半導體材料製成而得名。
本徵半導體
電子-內部結構模型圖 不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本徵半導體。在極低溫度下，半導體的價帶是滿帶(見能帶理論)，受到熱激發後，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子後成為導帶，價帶中缺少一個電子後形成一個帶正電的空位，稱為空穴。導帶中的電子和價帶中的空穴合稱電子 - 空穴對，均能自由移動，即載流子，它們在外電場作用下產生定向運動而形成巨集觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。這種由於電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本徵導電。導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為複合。複合時釋放出的能量變成電磁輻射（發光）或晶格的熱振動能量（發熱）。在一定溫度下，電子 - 空穴對的產生和複合同時存在並達到動態平衡，此時半導體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產生更多的電子 - 空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。無晶格缺陷的純淨半導體的電阻率較大，實際應用不多。
分立功率器件按照功率的大小劃分為大功率半導體器件和中小功率半導體器件。具體來說，大功率閘流體專指承受電流值在200A 以上的閘流體產品；大功率模組則指承受電流25A 以上的模組產品；大功率IGBT、MOSFET 指電流超過50A 以上的IGBT、MOSFET 產品。
1956 年美國貝爾實驗室（Bell Lab）發明了閘流體，國際上，70 年代各種型別的閘流體有了很大發展，80 年代開始加快發展大功率模組，同時各種大功率半導體器件在歐美日有很大的發展，90 年代IGBT 等全控型器件研製成功並開始得到應用。
在國內，60 年代閘流體研究開始起步，70 年代研製出大功率的閘流體，80年代以來，大功率閘流體在中國得到很大發展，同時開始研製模組；本世紀以來，開始少量引進超大功率閘流體（含光控閘流體）技術；近年來國家正在逐步引進IGBT、MOSFET 技術。中國巨集觀經濟的不斷成長，帶動了大功率半導體器件技術的發展和應用的不斷深入。
閘流體、模組、IGBT 的發明和發展順應了電力電子技術發展的不同需要，是功率半導體發展歷程中不同時段的重要標誌產品，他們的應用領域、應用場合大部分不相同，小部分有交叉。在技術不斷髮展和工藝逐步改善的雙重推動下，[1]大功率半導體器件將向著高電壓、大電流、高頻化、模組化、智慧化的方向發展。在10Khz 以下、大功率、高電壓的場合，大功率閘流體和模組具有很強的抗衝擊能力及高可靠性而佔據優勢，同時又因成本較低、應用簡單而易於普及。在10Khz 以上、中低功率場合，IGBT、MOSFET 以其全控性、適用頻率高而佔據優勢。具體適用範圍如下表：
主要特點
半導體五大特性∶電阻率特性，導電特性，光電特性，負的電阻率溫度特性，整流特性。
在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電效能具有可控性。
在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。
晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點陣，稱為晶格。
共價鍵結構：相鄰的兩個原子的一對最外層電子（即價電子）不但各自圍繞自身所屬的原子核運動，而且出現在相鄰原子所屬的軌道上，成為共用電子，構成共價鍵。
自由電子的形成：在常溫下，少數的價電子由於熱運動獲得足夠的能量，掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子。
空穴：價電子掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子而留下一個空位置稱空穴。
電子電流：在外加電場的作用下，自由電子產生定向移動，形成電子電流。
空穴電流：價電子按一定的方向依次填補空穴（即空穴也產生定向移動），形成空穴電流。
本徵半導體的電流：電子電流+空穴電流。自由電子和空穴所帶電荷極性不同，它們運動方向相反。
載流子：運載電荷的粒子稱為載流子。
導體電的特點：導體導電只有一種載流子，即自由電子導電。
本徵半導體電的特點：本徵半導體有兩種載流子，即自由電子和空穴均參與導電。
本徵激發：半導體在熱激發下產生自由電子和空穴的現象稱為本徵激發。
PN伏安特性
複合：自由電子在運動的過程中如果與空穴相遇就會填補空穴，使兩者同時消失，這種現象稱為複合。
動態平衡：在一定的溫度下，本徵激發所產生的自由電子與空穴對，與複合的自由電子與空穴對數目相等，達到動態平衡。
載流子的濃度與溫度的關係：溫度一定，本徵半導體中載流子的濃度是一定的，並且自由電子與空穴的濃度相等。當溫度升高時，熱運動加劇，掙脫共價鍵束縛的自由電子增多，空穴也隨之增多（即載流子的濃度升高），導電效能增強；當溫度降低，則載流子的濃度降低，導電效能變差。
結論：本徵半導體的導電效能與溫度有關。半導體材料效能對溫度的敏感性，可製作熱敏和光敏器件，又造成半導體器件溫度穩定性差的原因。
雜質半導體：通過擴散工藝，在本徵半導體中摻入少量合適的雜質元素，可得到雜質半導體。
N型半導體：在純淨的矽晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中矽原子的位置，就形成了N型半導體。
多數載流子：N型半導體中，自由電子的濃度大於空穴的濃度，稱為多數載流子，簡稱多子。
少數載流子：N型半導體中，空穴為少數載流子，簡稱少子。
施子原子：雜質原子可以提供電子，稱施子原子。
N型半導體的導電特性：它是靠自由電子導電，摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電效能也就越強。
P型半導體：在純淨的矽晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中矽原子的位置，形成P型半導體。
多子：P型半導體中，多子為空穴。
少子：P型半導體中，少子為電子。
受主原子：雜質原子中的空位吸收電子，稱受主原子。
P型半導體的導電特性：摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電效能也就越強。
結論：
多子的濃度決定於雜質濃度。
少子的濃度決定於溫度。
PN接面的形成：將P型半導體與N型半導體制作在同一塊矽片上，在它們的交介面就形成PN接面。
PN接面的特點：具有單向導電性。
擴散運動：物質總是從濃度高的地方向濃度低的地方運動，這種由於濃度差而產生的運動稱為擴散運動。
空間電荷區：擴散到P區的自由電子與空穴複合，而擴散到N區的空穴與自由電子複合，所以在交介面附近多子的濃度下降，P區出現負離子區，N區出現正離子區，它們是不能移動，稱為空間電荷區。
電場形成：空間電荷區形成內電場。
空間電荷加寬，內電場增強，其方向由N區指向P區，阻止擴散運動的進行。
漂移運動：在電場力作用下，載流子的運動稱漂移運動。
PN接面的形成過程：將P型半導體與N型半導體制作在同一塊矽片上，在無外電場和其它激發作用下，參與擴散運動的多子數目等於參與漂移運動的少子數目，從而達到動態平衡，形成PN接面。
電位差：空間電荷區具有一定的寬度，形成電位差Uho，電流為零。
耗盡層：絕大部分空間電荷區內自由電子和空穴的數目都非常少，在分析PN接面時常忽略載流子的作用，而只考慮離子區的電荷，稱耗盡層。
PN接面的單向導電性
P端接電源的正極，N端接電源的負極稱之為PN接面正偏。此時PN接面如同一個開關合上，呈現很小的電阻，稱之為導通狀態。
P端接電源的負極，N端接電源的正極稱之為PN接面反偏，此時PN接面處於截止狀態，如同開關開啟。結電阻很大，當反向電壓加大到一定程度，PN接面會發生擊穿而損壞。
特性曲線
伏安特性曲線：加在PN接面兩端的電壓和流過二極體的電流之間的關係曲線稱為伏安特性曲線。如圖所示：
正向特性：u>0的部分稱為正向特性。
反向特性：u<0的部分稱為反向特性。
反向擊穿：當反向電壓超過一定數值U（BR）後，反向電流急劇增加，稱之反向擊穿。
勢壘電容：耗盡層寬窄變化所等效的電容稱為勢壘電容Cb。
變容二極體：當PN接面加反向電壓時，Cb明顯隨u的變化而變化，而製成各種變容二極體。如下圖所示。
平衡少子：PN接面處於平衡狀態時的少子稱為平衡少子。
非平衡少子：PN接面處於正向偏置時，從P區擴散到N區的空穴和從N區擴散到P區的自由電子均稱為非平衡少子。
擴散電容：擴散區內電荷的積累和釋放過程與電容器充、放電過程相同，這種電容效應稱為Cd。
結電容：勢壘電容與擴散電容之和為PN接面的結電容Cj。
雜質介紹
半導體 半導體中的雜質對電阻率的影響非常大。半導體中摻入微量雜質時，雜質原子附近的週期勢場受到干擾並形成附加的束縛狀態，在禁帶中產加的雜質能級。例如四價元素鍺或矽晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質原子時，雜質原子作為晶格的一分子，其五個價電子中有四個與周圍的鍺（或矽）原子形成共價結合，多餘的一個電子被束縛於雜質原子附近，產生類氫能級。雜質能級位於禁帶上方靠近導帶底附近。雜質能級上的電子很易激發到導帶成為電子載流子。這種能提供電子載流子的雜質稱為施主，相應能級稱為施主能級。施主能級上的電子躍遷到導帶所需能量比從價帶激發到導帶所需能量小得多。在鍺或矽晶體中摻入微量三價元素硼、鋁、鎵等雜質原子時，雜質原子與周圍四個鍺（或矽）原子形成共價結合時尚缺少一個電子，因而存在一個空位，與此空位相應的能量狀態就是雜質能級，通常位於禁帶下方靠近價帶處。價帶中的電子很易激發到雜質能級上填補這個空位，使雜質原子成為負離子。價帶中由於缺少一個電子而形成一個空穴載流子。這種能提供空穴的雜質稱為受主雜質。存在受主雜質時，在價帶中形成一個空穴載流子所需能量比本徵半導體情形要小得多。半導體摻雜後其電阻率大大下降。加熱或光照產生的熱激發或光激發都會使自由載流子數增加而導致電阻率減小，半導體熱敏電阻和光敏電阻就是根據此原理製成的。對摻入施主雜質的半導體，導電載流子主要是導帶中的電子，屬電子型導電，稱N型半導體。摻入受主雜質的半導體屬空穴型導電，稱P型半導體。半導體在任何溫度下都能產生電子-空穴對，故N型半導體中可存在少量導電空穴，P型半導體中可存在少量導電電子，它們均稱為少數載流子。在半導體器件的各種效應中，少數載流子常扮演重要角色。
PN接面
P型半導體與N型半導體相互接觸時，其交界區域稱為PN接面。P區中的自由空穴和N區中的自由電子要向對方區域擴散，造成正負電荷在 PN 結兩側的積累，形成電偶極層。電偶極層中的電場方向正好阻止擴散的進行。當由於載流子數密度不等引起的擴散作用與電偶層中電場的作用達到平衡時，P區和N區之間形成一定的電勢差，稱為接觸電勢差。由於P 區中的空穴向N區擴散後與N區中的電子複合，而N區中的電子向P區擴散後與P 區中的空穴複合，這使電偶極層中自由載流子數減少而形成高阻層，故電偶極層也叫阻擋層，阻擋層的電阻值往往是組成PN接面的半導體的原有阻值的幾十倍乃至幾百倍。
PN接面具有單向導電性，半導體整流管就是利用PN接面的這一特性製成的。PN接面的另一重要性質是受到光照後能產生電動勢，稱光生伏打效應，可利用來製造光電池。半導體三極體、可控矽、PN接面光敏器件和發光二極體等半導體器件均利用了PN接面的特性。
半導體摻雜
半導體之所以能廣泛應用在如今的數位世界中，憑藉的就是其能借由在其晶格中植入雜質改變其電性，這個過程稱之為摻雜（doping）。摻雜進入本質半導體（intrinsic semiconductor）的雜質濃度與極性皆會對半導體的導電特性產生很大的影響。而摻雜過的半導體則稱為外質半導體（extrinsic semiconductor）。
半導體摻雜物
半導體與工業用石 哪種材料適合作為某種半導體材料的摻雜物（dopant）需視兩者的原子特性而定。一般而言，摻雜物依照其帶給被摻雜材料的電荷正負被區分為施體（donor）與受體（acceptor）。施體原子帶來的價電子（valence electrons）大多會與被摻雜的材料原子產生共價鍵，進而被束縛。而沒有和被摻雜材料原子產生共價鍵的電子則會被施體原子微弱地束縛住，這個電子又稱為施體電子。和本質半導體的價電子比起來，施體電子躍遷至傳導帶所需的能量較低，比較容易在半導體材料的晶格中移動，產生電流。雖然施體電子獲得能量會躍遷至傳導帶，但並不會和本質半導體一樣留下一個電洞，施體原子在失去了電子後只會固定在半導體材料的晶格中。因此這種因為摻雜而獲得多餘電子提供傳導的半導體稱為n型半導體（n-type semiconductor），n代表帶負電荷的電子。
和施體相對的，受體原子進入半導體晶格後，因為其價電子數目比半導體原子的價電子數量少，等效上會帶來一個的空位，這個多出的空位即可視為電洞。受體摻雜後的半導體稱為p型半導體（p-type semiconductor），p代表帶正電荷的電洞。
以一個矽的本質半導體來說明摻雜的影響。矽有四個價電子，常用於矽的摻雜物有三價與五價的元素。當只有三個價電子的三價元素如硼（boron）摻雜至矽半導體中時，硼扮演的即是受體的角色，摻雜了硼的矽半導體就是p型半導體。反過來說，如果五價元素如磷（phosphorus）摻雜至矽半導體時，磷扮演施體的角色，摻雜磷的矽半導體成為n型半導體。
一個半導體材料有可能先後摻雜施體與受體，而如何決定此外質半導體為n型或p型必須視摻雜後的半導體中，受體帶來的電洞濃度較高或是施體帶來的電子濃度較高，亦即何者為此外質半導體的“多數載子”（majoritycarrier）。和多數載子相對的是少數載子（minority carrier）。對於半導體元件的操作原理分析而言，少數載子在半導體中的行為有著非常重要的地位。
半導體載子濃度
摻雜物濃度對於半導體最直接的影響在於其載子濃度。在熱平衡的狀態下，一個未經摻雜的本質半導體，電子與電洞的濃度相等，如下列公式所示：
n = p = ni 其中n是半導體內的電子濃度、p則是半導體的電洞濃度，ni則是本質半導體的載子濃度。ni會隨著材料或溫度的不同而改變。對於室溫下的矽而言，ni大約是1×10 cm。
通常摻雜濃度越高，半導體的導電性就會變得越好，原因是能進入傳導帶的電子數量會隨著摻雜濃度提高而增加。摻雜濃度非常高的半導體會因為導電性接近金屬而被廣泛應用在積體電路製程來取代部份金屬。高摻雜濃度通常會在n或是p後面附加一上標的“+”號，例如n 代表摻雜濃度非常高的n型半導體，反之例如p 則代表輕摻雜的p型半導體。需要特別說明的是即使摻雜濃度已經高到讓半導體“退化”（degenerate）為導體，摻雜物的濃度和原本的半導體原子濃度比起來還是差距非常大。以一個有晶格結構的矽本質半導體而言，原子濃度大約是5×10 cm，而一般積體電路製程裡的摻雜濃度約在10 cm至10 cm之間。摻雜濃度在10 cm以上的半導體在室溫下通常就會被視為是一個“簡併半導體”（degenerated semiconductor）。重摻雜的半導體中，摻雜物和半導體原子的濃度比約是千分之一，而輕摻雜則可能會到十億分之一的比例。在半導體制程中，摻雜濃度都會依照所製造出元件的需求量身打造，以合於使用者的需求。
PN接面的勢壘電容 摻雜對半導體結構的影響
摻雜之後的半導體能帶會有所改變。依照摻雜物的不同，本質半導體的能隙之間會出現不同的能階。施體原子會在靠近傳導帶的地方產生一個新的能階，而受體原子則是在靠近價帶的地方產生新的能階。假設摻雜硼原子進入矽，則因為硼的能階到矽的價帶之間僅有0.045電子伏特，遠小於矽本身的能隙1.12電子伏特，所以在室溫下就可以使摻雜到矽裡的硼原子完全解離化（ionize）。
摻雜物對於能帶結構的另一個重大影響是改變了費米能階的位置。在熱平衡的狀態下費米能階依然會保持定值，這個特性會引出很多其他有用的電特性。舉例來說，一個p-n接面（p-n junction）的能帶會彎折，起因是原本p型半導體和n型半導體的費米能階位置各不相同，但是形成p-n接面後其費米能階必須保持在同樣的高度，造成無論是p型或是n型半導體的傳導帶或價帶都會被彎曲以配合接面處的能帶差異。
上述的效應可以用能帶圖（band diagram）來解釋，。在能帶圖裡橫軸代表位置，縱軸則是能量。圖中也有費米能階，半導體的本質費米能階（intrinsic Fermi level）通常以Ei來表示。在解釋半導體元件的行為時，能帶圖是非常有用的工具。
生產工藝
為了滿足量產上的需求，半導體的電性必須是可預測並且穩定的，因此包括摻雜物的純度以及半導體晶格結構的品質都必須嚴格要求。常見的品質問題包括晶格的錯位（dislocation）、雙晶面（twins），或是堆疊錯誤（stacking fault）都會影響半導體材料的特性。對於一個半導體元件而言，材料晶格的缺陷通常是影響元件效能的主因。
目前用來成長高純度單晶半導體材料最常見的方法稱為裘可拉斯基製程（Czochralski process）。這種製程將一個單晶的晶種（seed）放入溶解的同材質液體中，再以旋轉的方式緩緩向上拉起。在晶種被拉起時，溶質將會沿著固體和液體的介面固化，而旋轉則可讓溶質的溫度均勻。
應用領域
最早的實用“半導體”是「電晶體（Transistor）/ 二極體（Diode）」。
一、在 無電收音機（Radio）及 電視機（Television）中，作為“訊號放大器 /整流器”用。
二、近來發展「太陽能（Solar Power）」，也用在「光電池（Solar Cell）」中。
三、半導體可以用來測量溫度，測溫範圍可以達到生產、生活、醫療衛生、科研教學等應用的70%的領域，有較高的準確度和穩定性，解析度可達0.1攝氏度，甚至達到0.01度也不是不可能，線性度0.2%，測溫範圍-100~+300攝氏度，是價效比極高的一種測溫元件。
發展
世界半導體行業巨頭紛紛到國內投資，整個半導體行業快速發展，這也要求材料業要跟上半導體行業發展的步伐。可以說，市場發展為半導體支撐材料業帶來前所未有的發展機遇。
臺灣全年經濟指標較樂觀的是「民間投資」，但智庫學者指出，「民間投資」竟都是靠半導體業支撐，國內其他產業的競爭力必須再「加把勁」。
主計總處預估，因半導體業者擴大資本支出，民間投資總金額上升至2.9兆元，我國固定資本投資佔國內生產毛額（GDP）比重可略升至19.8%。
臺綜院日前雖將GDP預測值從往年年底的3.57%大幅下修至2.14%，但唯一較樂觀的就是民間投資成長率部分，由原本的5.71%上修至6.49%。
半導體 智研資料研究中心調查員表示：國內「民間投資最主要就是半導體」；1到4月，海關進口裝置總值達3600億元，雖較同期增加300億元，但光是臺積電一家公司的投資就增加超過300億元，「若扣除半導體產業，其他行業的投資額是負成長。」
臺綜院院長吳再益擔憂，從產業角度來看，臺灣產品近年來附加價值率愈來愈低，不僅不敵南韓，還面對中國大陸的強力競爭，主因就是廠商不願加碼進行投資，「沒有研發、沒有投資，怎麼提升產業競爭力？」
吳再益指出，GDP很多構成因素，如「民間消費」、「輸出」等都不看好，唯有民間投資一項令人期待；但半導體業的投資佔整個製造業投資的七、八成，突顯出的是「其他產業加起來，竟然只有二、三成」。
吳再益表示，國內產業不論是資金或是其他資源，都過度集中，「我們是否只能押寶這幾個產業？」若全球經濟動盪，國內相對連帶衝擊也勢必加劇。
阻礙
1)產品開發能力
順應半導體工業的發展，一些比較先進的封裝型別將具有較大的市場需求，與此相適應的引線框架產品的需求量將會逐年上升。引線框架生產企業需要投入鉅額資金購買裝置和進行技術研發，資金不夠充裕、技術研發實力弱小的企業將隨著中低端產品的需求量的下降而被市場淘汰。缺乏產品的設計開發能力，將難以適應市場不斷變化的需求，難以取得較大的市場份額。
(2)產品製造能力
引線框架製造方法有衝壓法和蝕刻法兩種。衝壓法可進行高速大批量低成本生產，但是需要具備較強的模具設計和製造能力，模具製造成本較高，不適合多腳位小批量生產;蝕刻法初期投資少，設計有機動性，適合新產品開發和多腳位、小間距、中小批量生產，但產品價格高，生產效率低，不適合大批量生產。
目前我國引線框架企業大都採用衝壓法對市場需求量較大的引線框架產品進行大批量生產。由於引線框架具有較高的精密度要求，企業的模具設計和製作能力決定了產品成率的高低，這些能力的取得需要依賴多年經驗的積累。缺乏模具的設計和製造能力的企業難以適應市場需求變化。
另一方面，隨著人們環保意識提高，電子產品的環保要求也越來越高。隨著世界各國紛紛出臺電子產品的環保標準(例如歐盟的RoHS 指令、我國制定的《電子資訊產品汙染控制管理方法》等)，綠色封裝技術成為企業進入市場的通行證。新的生產工藝和方法對企業的產品創新能力提出更高的要求，提高了行業進入壁壘。
(3)客戶資源
根據半導體行業的特性，產品在向下遊企業供貨前，必須先經過下游企業嚴格的合格供應商認證，認證標準通常遠遠高於國家或行業制定的標準，而且認證週期較長，一般在半年以上，嚴格的合格供應商認證制度使新企業進入行業難度增大。
N型半導體結構圖 (4)資金需求量大
引線框架行業屬於資金密集型的行業，行業的進入需要較高的資金投入購買相關裝置。近年來，引線框架的主要原材料銅帶價格持續上漲，公司運營需要大量的流動資金，增加了行業新進入者的市場風險。
相關內容
英文及解釋
Semiconductor
A semiconductor is a material with an electrical conductivity that is intermediate between that of an insulator and a conductor. A semiconductor behaves as an insulator at very low temperature, and has an appreciable electrical conductivity at room temperature although much lower conductivity than a conductor. Commonly used semiconducting materials are silicon, germanium, and gallium arsenide.
命名之說
PN接面的形成過程中國半導體器件型號命名方法
半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、複合管、PIN型管、鐳射器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：
第一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極體、3-三極體
第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極體時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型矽材料、D-P型矽材料。表示三極體時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型矽材料、D-NPN型矽材料。
第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體閘流體（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效電晶體、BT-半導體特殊器件、FH-複合管、PIN-PIN型管、JG-鐳射器件。
第四部分：用數字表示序號
第五部分：用漢語拼音字母表示規格號
例如：3DG18表示NPN型矽材料高頻三極體
