DDR4時代的來臨（2）?

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方法/步驟

Bank分組優化調度：DDR3裡的所有Bank都是共享I/O柵極結構的，DDR4則進行了分組，不同分組之間的寫入-讀取轉換速度會更快。

多重目的寄存器：四個頁面(Pages)，每頁有四個8-bit寄存器，總共16個。

循環冗餘校驗(CRC)：寫入CRC可以在DDR4數據總線上提供實時的錯誤檢測，對於四種隨機錯誤的檢測率可達100％。

C/A對等功能可以檢查命令與地址總線。

Die堆疊是實現DDR4更高存儲密度的關鍵，當然這樣對製造工藝、電路佈局、信號傳輸、指令控制等都提出了更苛刻的要求，當然成本也會高不少。這種新的內存封裝方式被稱為“3DS”(不是任天堂掌機)

製造技術上主要是流行的硅穿孔(TSV)，其它垂直電氣連接技術也可以。每個Ball都與所有的Die相連。

內部Die配置上採用了主從區分的方式，其中主Die一個、從Die一至八個。只有主Die可以對外聯繫，其它Die都隱藏在幕後

這種設計帶來了更高的存儲密度和帶寬利用率，同時又保持了信號傳輸等方面的一致性和兼容性。如果使用4Gb(512MB)的Die，單條內存最大容量可達64GB，8Gb Die就可以實現128GB