如何區分記憶體條是幾代的

　　你們知道記憶體條怎麼區別是第幾代的嗎?下面是小編帶來的內容，歡迎閱讀!

　　區分記憶體條是幾代的方法：

　　1.SDR兩個缺口，單面84針腳，雙面168針腳，電壓3.3v，記憶體顆粒長方形***已淘汰***。

　　2.DDR1***第一代***一個缺口，單面92針腳，雙面184針腳，電壓2.5v，記憶體顆粒長方形 工作頻率266，333，400。

　　3.DDR2***第二代***一個缺口，單面120針腳，雙面240針腳，電壓1.8v，記憶體顆粒正方形 工作頻率533，667，800。

　　4.DDR3***第三代***一個缺口，單面120針腳，雙面240針腳，電壓1.5v，記憶體顆粒正方形 工作頻率1066，1333，1800

　　防呆缺口：位置不同防插錯

　　圖中紅圈圈起來的就是我們說的防呆缺口，目的是讓我們安裝記憶體時以免插錯。我們從圖1可以看見三代記憶體上都只有一個防呆缺口，大家注意一下這三個卡口的左右兩邊的金屬片，就可以發現缺口左右兩邊的金屬片數量是不同的。

　　比如DDR 記憶體單面金手指標腳數量為92個***雙面184個***，缺口左邊為52個針腳，缺口右邊為40個針腳;DDR2 記憶體單面金手指120個***雙面240個***，缺口左邊為64個針腳，缺口右邊為56個針腳;DDR3記憶體單面金手指也是120個***雙面240個***，缺口左邊為72個針腳，缺口右邊為48個針腳。

　　晶片封裝：濃縮是精華

　　在不同的記憶體條上，都分佈了不同數量的塊狀顆粒，它就是我們所說的記憶體顆粒。同時我們也注意到，不同規格的記憶體，記憶體顆粒的外形和體積不太一樣，這是因為記憶體顆粒“包裝”技術的不同導致的。一般來說，DDR記憶體採用了TSOP***Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封裝***封裝技術，又長又大。而DDR2和DDR3記憶體均採用FBGA***底部球形引腳封裝***封裝技術，與TSOP相比，記憶體顆粒就小巧很多，FBGA封裝形式在抗干擾、散熱等方面優勢明顯。

　　TSOP是記憶體顆粒通過引腳***圖2黃色框***焊接在記憶體PCB上的，引腳由顆粒向四周引出，所以肉眼可以看到顆粒與記憶體PCB介面處有很多金屬柱狀觸點，並且顆粒封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優點是成本低、工藝要求不高，但焊點和PCB的接觸面積較小，使得DDR記憶體的傳導效果較差，容易受干擾，散熱也不夠理想。

　　FBGA封裝把DDR2和DDR3記憶體的顆粒做成了正方形***圖3***，而且體積大約只有DDR記憶體顆粒的三分之一，記憶體PCB上也看不到DDR記憶體晶片上的柱狀金屬觸點，因為其柱狀焊點按陣列形式分佈在封裝下面，所有的觸點就被“包裹”起來了，外面自然看不到。其優點是有效地縮短了訊號的傳導距離。

　　速度與容量：成倍提升

　　前面我們教大家如何計算記憶體頻寬大小，其實我們在選擇記憶體和CPU搭配的時候就是看記憶體頻寬是否大於或者等於CPU的頻寬，這樣才可以滿足CPU的資料傳輸要求。

　　而我們從頻寬公式***頻寬=位寬×頻率÷8***可以得知，和頻寬關係最緊密的就是頻率。這也是為什麼三代記憶體等效頻率一升再升的原因之一，其目的就是為了滿足CPU的頻寬。

　　不僅速度上有所提升，而且隨著我們應用的提高，我們也需要更大容量的單根記憶體，DDR時代賣得最火的是512MB和1GB的記憶體，而到了DDR2時代，兩根1GB記憶體就只是標準配置了，記憶體容量為4GB的電腦也逐漸多了起來。甚至在今後還會有單根8GB的記憶體出現。這說明了人們的對記憶體容量的要求在不斷提高。

　　延遲值：一代比一代高

　　任何記憶體都有一個CAS延遲值，這就好像甲命令乙做事情，乙需要思考的時間一樣。一般而言，記憶體的延遲值越小，傳輸速度越快。

　　從DDR、DDR2、DDR3記憶體身上看到，雖然它們的傳輸速度越來越快，頻率越來越高，容量也越來越大，但延遲值卻提高了，譬如DDR記憶體的延遲值***第一位數值大小最重要，普通使用者關注第一位延遲值就可以了***為1.5、2、2.5、3;而到了DDR2時代，延遲值提升到了3、4、5、6;到了DDR3時代，延遲值也繼續提升到了5、6、7、8或更高。

　　功耗：一次又一次降低

　　電子產品要正常工作，肯定要有電。有電，就需要工作電壓，該電壓是通過金手指從主機板上的記憶體插槽獲取的，記憶體電壓的高低，也反映了記憶體工作的實際功耗。一般而言，記憶體功耗越低，發熱量也越低，工作也更穩定。DDR記憶體的工作電壓為2.5V，其工作功耗在10W左右;而到了DDR2時代，工作電壓從2.5V降至1.8V;到了DDR3記憶體時代，工作電壓從1.8V降至1.5V，相比DDR2可以節省30%～40%的功耗。為此我們也看到，從DDR記憶體發展到DDR3記憶體，儘管記憶體頻寬大幅提升，但功耗反而降低，此時記憶體的超頻性、穩定性等都得到進一步提高。

　　製造工藝：不斷提高

　　從DDR到DDR2再到DDR3記憶體，其製造工藝都在不斷改善，更高的工藝水平會使記憶體電氣效能更好，成本更低。譬如DDR記憶體顆粒廣泛採用0.13微米制造工藝，而DDR2顆粒採用了0.09微米制造工藝，DDR3顆粒則採用了全新65nm製造工藝***1微米=1000奈米***。