記憶體技術引數有哪些

　　記憶體這樣小小的一個硬體，卻是PC系統中最必不可少的重要部件之一。而對於入門使用者來說，可能從記憶體的型別、工作頻率、介面型別這些簡單的引數的印象都可能很模糊的，而對更深入的各項記憶體時序小引數就更摸不著頭腦了。而對於進階玩家來說，記憶體的一些具體的細小引數設定則足以影響到整套系統的超頻效果和最終效能表現。下面是小編給大家整理的一些有關記憶體技術引數介紹，希望對大家有幫助!

　　記憶體技術引數簡單介紹

　　　DDR1記憶體

　　第一代DDR記憶體

　　DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機儲存器的意思。DDR記憶體是在SDRAM記憶體基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於記憶體廠商而言，只需對製造普通SDRAM的裝置稍加改進，即可實現DDR記憶體的生產，可有效的降低成本。

　　DDR2記憶體

　　第二代DDR記憶體

　　DDR2 是 DDR SDRAM 記憶體的第二代產品。它在 DDR 記憶體技術的基礎上加以改進，從而其傳輸速度更快***可達800MHZ ***，耗電量更低，散熱效能更優良。

　　DDR3記憶體

　　第三代DDR記憶體

　　DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓， 從DDR2的1.8V降落到1.5V，效能更好更為省電;DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀。DDR3目前最高能夠1600Mhz的速度，由於目前最為快速的DDR2記憶體速度已經提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3記憶體模組將會從1333Mhz的起跳。

　　三種類型DDR記憶體之間，從記憶體控制器到記憶體插槽都互不相容。即使是一些在同時支援兩種型別記憶體的Combo主機板上，兩種規格的記憶體也不能同時工作，只能使用其中一種記憶體。

　　記憶體SPD晶片

　　記憶體SPD晶片

　　SPD***Serial Presence Detect***: SPD是一顆8針的EEPROM***Electrically Erasable Programmable ROM 電可擦寫可程式設計只讀儲存器***, 容量為256位元組，裡面主要儲存了該記憶體的相關資料，如容量、晶片廠商、記憶體模組廠商、工作速度等。SPD的內容一般由記憶體模組製造商寫入。支援SPD的主機板在啟動時自動檢測SPD中的資料，並以此設定記憶體的工作引數。

　　啟動計算機後，主機板BIOS就會讀取SPD中的資訊，主機板北橋晶片組就會根據這些引數資訊來自動配置相應的記憶體工作時序與控制暫存器，從而可以充分發揮記憶體條的效能。上述情況實現的前提條件是在BIOS設定介面中，將記憶體設定選項設為“By SPD”。當主機板從記憶體條中不能檢測到SPD資訊時，它就只能提供一個較為保守的配置。

　　從某種意義上來說，SPD晶片是識別記憶體品牌的一個重要標誌。如果SPD內的引數值設定得不合理，不但不能起到優化記憶體的作用，反而還會引起系統工作不穩定，甚至宕機。因此，很多普通記憶體或相容記憶體廠商為了避免相容性問題，一般都將SPD中的記憶體工作引數設定得較為保守，從而限制了記憶體效能的充分發揮。更有甚者，一些不法廠商通過專門的讀寫裝置去更改SPD資訊，以騙過計算機的檢測，得出與實際不一致的資料，從而欺騙消費者。

　　XMP技術

　　支援XMP技術的記憶體產品

　　BIOS裡的XMP設定

　　Intel Extreme Memory Profiles 簡稱XMP，它是一種提高記憶體效能的技術，與NVIDIA的SLI Memory技術類似。Intel制定了Intel Extreme Memory Profiles ***Intel XMP Specification***，會對DDR3記憶體作出認證，晶片組會自動識別通過認證的指定品牌和指定型號的記憶體模組產品，通過提高資料吞吐量，增加頻寬等手段使其效能增加。

　　英特爾公司表示，由於主要面向未來的高階平臺，因此這項技術並不會出現在DDR2記憶體模組上，要想使用“Extreme Memory”技術的首要條件就是要使用DDR3記憶體。

　　記憶體控制器***Memory Controller***

　　記憶體控制器是計算機系統內部控制記憶體並且通過記憶體控制器使記憶體與CPU之間交換資料的重要組成部分。記憶體控制器決定了計算機系統所能使用的最大記憶體容量、記憶體BANK數、記憶體型別和速度、記憶體顆粒資料深度和資料寬度等等重要引數，也就是說決定了計算機系統的記憶體效能，從而也對計算機系統的整體效能產生較大影響。

　　早期記憶體控制器整合在主機板北橋晶片

　　傳統的計算機系統其記憶體控制器位於主機板晶片組的北橋晶片內部，CPU要和記憶體進行資料交換，需要經過“CPU--北橋--記憶體--北橋--CPU”五個步驟，在此模式下資料經由多級傳輸，資料延遲顯然比較大從而影響計算機系統的整體效能;而AMD的K8系列CPU***包括Socket 754/939/940等介面的各種處理器***內部則整合了記憶體控制器，CPU與記憶體之間的資料交換過程就簡化為“CPU--記憶體--CPU”三個步驟，省略了兩個步驟，與傳統的記憶體控制器方案相比顯然具有更低的資料延遲，這有助於提高計算機系統的整體效能。

　　AMD率先在桌面平臺將記憶體控制器整合在CPU

　　英特爾新酷睿家族處理器也集成了記憶體控制器

　　CPU內部整合記憶體控制器的優點，就是可以有效控制記憶體控制器工作在與CPU核心同樣的頻率上，而且由於記憶體與CPU之間的資料交換無需經過北橋，可以有效降低傳輸延遲。打個比方，這就如同將貨物倉庫直接搬到了加工車間旁邊，大大減少了原材料和製成品在貨物倉庫和加工車間之間往返運輸所需要的時間，極大地提高了生產效率。這樣一來系統的整體效能也得到了提升。

　　記憶體規格引數

　　記憶體效能規格標籤

　　記憶體頻率

　　和CPU一樣，記憶體也有自己的工作頻率，頻率以MHz為單位記憶體主頻越高在一定程度上代表著記憶體所能達到的速度越快。記憶體主頻決定著該記憶體最高能在什麼樣的頻率正常工作。目前最為主流的記憶體頻率為DDR2-800和DDR3-1333，作為DDR2的替代者，DDR3記憶體的頻率已經在向3000MHz進發。

　　記憶體容量

　　記憶體的容量不但是影響記憶體價格的因素，同時也是影響到整機系統性能的因素。過去Windows XP平臺，512M的記憶體還是主流，1GB已經是大容量;到了現在，64位系統開始普及，Windows Vista、Windows 7越來越多人使用，沒有2GB左右的記憶體都不一定能保證操作的流暢度。目前，單根記憶體的容量主要有1GB、2GB兩種，高階的還有很罕有的單根4GB超大容量記憶體

　　工作電壓

　　記憶體正常工作所需要的電壓值，不同型別的記憶體電壓也不同，但各自均有自己的規格，超出其規格，容易造成記憶體損壞。DDR2記憶體的工作電壓一般在1.8V左右，而DDR3記憶體則在1.6V左右。有的高頻記憶體需要工作在高於標準的電壓值下，具體到每種品牌、每種型號的記憶體，則要看廠家了。只要在允許的範圍內浮動，略微提高記憶體電壓，有利於記憶體超頻，但是同時發熱量大大增加，因此有損壞硬體的風險。

　　記憶體時序引數

　　BIOS記憶體時序設定

　　tCL : CAS Latency Control***tCL***

　　一般我們在查閱記憶體的時序引數時，如“8-8-8-24”這一類的數字序列，上述數字序列分別對應的引數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個第一個“8”就是第1個引數，即CL引數。

　　CAS Latency Control***也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay***，CAS latency是“記憶體讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”。CAS控制從接受一個指令到執行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進位制的地址，或者說是記憶體矩陣中的列地址，所以它是最為重要的引數，在穩定的前提下應該儘可能設低。

　　記憶體是根據行和列定址的，當請求觸發後，最初是tRAS***Activeto Precharge Delay***，預充電後，記憶體才真正開始初始化RAS。一旦tRAS啟用後，RAS***Row Address Strobe ***開始進行需要資料的定址。首先是行地址，然後初始化tRCD，週期結束，接著通過CAS訪問所需資料的精確十六進位制地址。期間從CAS開始到CAS結束就是CAS延遲。所以CAS是找到資料的最後一個步驟，也是記憶體引數中最重要的。

　　這個引數控制記憶體接收到一條資料讀取指令後要等待多少個時鐘週期才實際執行該指令。同時該引數也決定了在一次記憶體突發傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘週期數。這個引數越小，則記憶體的速度越快。必須注意部分記憶體不能執行在較低的延遲，可能會丟失資料。而且提高延遲能使記憶體執行在更高的頻率，所以需要對記憶體超頻時，應該試著提高CAS延遲。

　　該引數對記憶體效能的影響最大，在保證系統穩定性的前提下，CAS值越低，則會導致更快的記憶體讀寫操作。

　　記憶體標籤

　　tRCD : RAS to CAS Delay

　　該值就是“8-8-8-24”記憶體時序引數中的第2個引數，即第2個“8”。RAS to CAS Delay***也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD***，表示"行定址到列定址延遲時間"，數值越小，效能越好。對記憶體進行讀、寫或重新整理操作時，需要在這兩種脈衝訊號之間插入延遲時鐘週期。在JEDEC規範中，它是排在第二的引數，降低此延時，可以提高系統性能。如果你的記憶體的超頻效能不佳，則可將此值設為記憶體的預設值或嘗試提高tRCD值。

　　tRP : Row Precharge Timing***tRP***

　　該值就是“8-8-8-24”記憶體時序引數中的第3個引數，即第3個“8”。Row Precharge Timing ***也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active***，表示"記憶體行地址控制器預充電時間"，預充電引數越小則記憶體讀寫速度就越快。tRP用來設定在另一行能被啟用之前，RAS需要的充電時間。

　　tRAS : Min RAS Active Timing

　　該值就是該值就是“8-8-8-24”記憶體時序引數中的最後一個引數，即“24”。Min RAS Active Time ***也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time***，表示“記憶體行有效至預充電的最短週期”，調整這個引數需要結合具體情況而定，一般我們最好設在24~30之間。這個引數要根據實際情況而定，並不是說越大或越小就越好。

　　如果tRAS的週期太長，系統會因為無謂的等待而降低效能。降低tRAS週期，則會導致已被啟用的行地址會更早的進入非啟用狀態。如果tRAS的週期太短，則可能因缺乏足夠的時間而無法完成資料的突發傳輸，這樣會引發丟失資料或損壞資料。該值一般設定為CAS latency + tRCD + 2個時鐘週期。

　　對於大多數人來說，記憶體這個小硬體選好容量和頻率，然後插上主機板用上就行了，對它的很多小引數完全不在意。所以，行業廠商也會提供比較傻瓜式的讀取記憶體SPD晶片的引數資訊，自動設定各項小參，簡單好用;更有簡單的超頻設定——XMP技術，讓普通使用者也能簡單地享受超頻增值的樂趣。當然，真正的玩家在超頻時為了達到最理想的效果，還是更傾向於手動設定各項小參。希望通過這篇文章，大家能對記憶體的各項引數有更深的理解，並在使用上有一定的幫助。