MOSFET的開關速度和Cin充放電有很大關係，使用者無法降低Cin，但可降低驅動電路內阻Rs減小時間常數，加快開關速度，MOSFET只靠多子導電，不存在少子儲存效應，因而關斷過程非常迅速，開關時間在10—100ns之間，工作頻率可達100kHz以上，是主要電力電子器件中最高的。 場控器件靜態時幾乎不需輸入電流。但在開關過程中需對輸入電容充放電，仍需一定的驅動功率。開關頻率越高，所需要的驅動功率越大。
2.4動態效能的改進 在器件應用時除了要考慮器件的電壓、電流、頻率外，還必須掌握在應用中如何保護器件，不使器件在瞬態變化中受損害。當然閘流體是兩個雙極型電晶體的組合，又加上因大面積帶來的大電容，所以其dv/dt能力是較為脆弱的。對di/dt來說，它還存在一個導通區的擴充套件問題，所以也帶來相當嚴格的限制。
功率MOSFET的情況有很大的不同。它的dv/dt及di/dt的能力常以每納秒（而不是每微秒）的能力來估量。但儘管如此，它也存在動態效能的限制。這些我們可以從功率MOSFET的基本結構來予以理解。 圖4是功率MOSFET的結構和其相應的等效電路。除了器件的幾乎每一部分存在電容以外，還必須考慮MOSFET還並聯著一個二極體。同時從某個角度看、它還存在一個寄生電晶體。（就像IGBT也寄生著一個閘流體一樣）。這幾個方面，是研究MOSFET動態特性很重要的因素。
首先MOSFET結構中所附帶的本徵二極體具有一定的雪崩能力。通常用單次雪崩能力和重複雪崩能力來表達。當反向di/dt很大時，二極體會承受一個速度非常快的脈衝尖刺，它有可能進入雪崩區，一旦超越其雪崩能力就有可能將器件損壞。作為任一種PN接面二極體來說，仔細研究其動態特性是相當複雜的。它們和我們一般理解PN接面正向時導通反向時阻斷的簡單概念很不相同。當電流迅速下降時，二極體有一階段失去反向阻斷能力，即所謂反向恢復時間。PN接面要求迅速導通時，也會有一段時間並不顯示很低的電阻。在功率MOSFET中一旦二極體有正向注入，所注入的少數載流子也會增加作為多子器件的MOSFET的複雜性。 功率MOSFET的設計過程中採取措施使其中的寄生電晶體儘量不起作用。在不同代功率MOSFET中其措施各有不同，但總的原則是使漏極下的橫向電阻RB儘量小。因為只有在漏極N區下的橫向電阻流過足夠電流為這個N區建立正偏的條件時，寄生的雙極性閘流體才開始發難。然而在嚴峻的動態條件下，因dv/dt通過相應電容引起的橫向電流有可能足夠大。此時這個寄生的雙極性電晶體就會起動，有可能給MOSFET帶來損壞。所以考慮瞬態效能時對功率MOSFET器件內部的各個電容（它是dv/dt的通道）都必須予以注意。 瞬態情況是和線路情況密切相關的，這方面在應用中應給予足夠重視。對器件要有深入瞭解，才能有利於理解和分析相應的問題。