DDR4時代的來臨（1）?

2012年9月底，DDR4記憶體標準規範正式公佈，不過小半年過去了，DDR4記憶體仍然基本停留在紙面上，要到明年才會真正啟程。為了讓整個行業更好地瞭解DDR4技術，JEDEC組織近日在加州聖克拉拉召開會議，深入講解了DDR4的方方面面。因為其中涉及的很多技術細節過於複雜，普通使用者也不需要了解太多，我們就結合官方幻燈片來簡單看看。
這是三星電子生產的3xnm DDR4記憶體顆粒晶圓，單顆容量4Gb(512MB)。

方法/步驟

從明年開始，伺服器平臺將首先轉向DDR4，預計明年80％新發布的系統都會支援DDR4，其中超過一半僅支援DDR4。

DDR4最重要的使命當然是提高頻率和頻寬。雖然標準規定最低是DDR4-1600，但從實用角度講，起步怎麼也得DDR4-2133，最高則是DDR4-3200。新記憶體的每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的頻寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70％。
DDR3、DDR4記憶體條外觀對比：除了記憶體顆粒封裝形式、DIMM型別不變之外

1、DIMM記憶體條的長度維持133.35±0.15毫米不變，但是高度從30.35±0.15毫米略微增加到31.25±0.15毫米。SO-DIMM筆記本記憶體條的長度從67.6毫米增至68.6毫米，高度變化同上。
2、記憶體條厚度從1.0毫米增至1.2毫米，主要是因為PCB層數增多了。
3、針腳數量，DIMM的從240針增至284針，同時針腳間距從1.0毫米縮短到0.85毫米，總長度基本不變。SO-DIMM的從204針增至256針，同時針腳間距從0.6毫米縮短到0.5毫米，因為針腳增加更多、間距縮小卻更少，總長度有所增加，故而記憶體條也變長了1毫米。
4、金手指底部之前一直都是平直的，DDR4卻是彎曲的，其中兩頭較短、中間較長，這樣主要是為了更方便插拔。金手指缺口的位置也和DDR3的不一樣了，以防止插錯。
5、記憶體條上的資料還從也從1個大幅增加到了9個。

DDR4 SO-DIMM記憶體可以原生支援ECC錯誤校驗，方便微型伺服器和小型裝置。

介面對比

功能特徵對比

偽開漏訊號：DDR4降低了I/O電流消耗。

資料匯流排倒置(DBI)：可降低VDDQ電流、減少資料切換操作。