如何優化記憶體條

　　如何優化電腦很多使用者並沒有在意這些細節，那怎麼在記憶體上做到優化呢?為此小編為大家整理推薦了，希望大家喜歡。

　　優化記憶體條

　　記憶體負責向CPU提供運算所需的原始資料，現在CPU執行速度超過記憶體資料傳輸速度很多，因此就造成了CPU很多時候都在等待記憶體提供資料的情況。這就是我們通常所說的“CPU等待時間”，或所謂的“記憶體瓶頸”。記憶體傳輸速度越慢，CPU等待時間就會越長，系統整體效能受到的影響就越大。因此，快速的記憶體是有效提升CPU效率和整機效能的關鍵之一。通常情況之下，購買新的、更快速的記憶體是解決記憶體瓶頸最直接的辦法。不過，利用我們現有的記憶體，好好做一番優化設定，也能收到異曲同工之妙的效果，而且還不用花錢。

　　上期我們已經介紹過了，目前主流記憶體分為SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三種。這三種記憶體有一個共同點，就是它們都以與系統CPU的外部頻率相同的頻率工作，這個頻率也就是我們常說的一個術語——FSB***Front Side Bus，前端匯流排***頻率。現在的主機板都具有比較高的“智慧”，這三種記憶體在插到相對應的主機板後，都能自動設定正確的執行頻率。因此，即使我們不進行任何設定或調整，絕大多數記憶體都能實現“即插即用”。不過，幾乎所有主機板的記憶體相關引數出廠初始設定都比較保守，並不能將記憶體的效能充分發揮。下面，我們針對三種記憶體來分別介紹其各自的優化方法。

　　***注：我們以下所談到的記憶體優化都限於在主機板BIOS提供的功能上。開機時按住“Del”鍵就可以進入BIOS的設定介面，具體設定選單項一般是“Chipset Features Setup”或“Advanced Chipset Features”。修改引數通常是用“PageUp/PageDown”鍵或更為直觀的回車選擇選單兩種方式，修改完成後，一定記住按“F10”鍵儲存。所有修改在系統重新啟動之後生效。***

　　RDRAM記憶體優化

　　RDRAM的設定和優化是最簡單的。RDRAM分兩種規格——PC600和PC800，還有一種是不太正式的PC700，效能以PC600最低而PC800最高。要正確設定RDRAM，首先要做的就是認清自己的記憶體是哪種規格。

　　圖1 由於RDRAM的工作規範要求極高，因此大部分Pentium 4主機板都沒有提供超頻的功能，我們只要在BIOS中將“RDRAM Bus Frequency”選項設定成與記憶體條相同的頻率就可以了。這裡，400MHz對應PC800記憶體條，而300MHz對應PC600記憶體條***PC700記憶體條只能當PC600來用***。

　　圖2 這是一條PC800的RDRAM記憶體條，我們從記憶體標牌上可以明顯地找到它的規格標記。

　　SDR/DDR記憶體優化

　　DDR SDRAM的設定與SDRAM大致相同，因此我們就以SDRAM為例一併介紹。

　　SDRAM有3個正式的規格——PC66、PC100和PC133;DDR SDRAM則有PC1600和PC2100兩種規格。個別廠商針對超頻愛好者的需要，也提供了PC150和PC166這兩種非正式規格的SDRAM記憶體條，DDR SDRAM也有PC2700的非正式規格產品出現。這些數值其實代表了這些記憶體能穩定執行的最大頻率，如PC133記憶體的最大穩定執行頻率就應該為133MHz。但在BIOS設定選項中，很少可以直接選擇記憶體規格。更多的是以設定FSB頻率或記憶體的執行時鐘週期來間接設定記憶體規格。

　　圖3 前面我們已經說過了，記憶體的執行頻率與FSB相同。FSB設定選項往往在BIOS中與CPU頻率的設定在一起，其實就是以設定CPU執行頻率***倍頻和外頻***的方式來實現的。

　　圖4 這塊主機板則是通過記憶體的存取時鐘週期來設定記憶體執行頻率的。計算記憶體時鐘週期與執行頻率關係的簡化公式是：1÷記憶體時鐘週期×1000MHz。如7.5ns的SDRAM，它的執行頻率就是1÷7.5×1000MHz≈133MHz。圖中的記憶體設定為8ns，其實它只能算是PC100的記憶體。

　　圖5 SDRAM和DDR SDRAM在記憶體晶片上都標註了該記憶體的存取時鐘週期，我們不僅可以根據這個數值來正確設定記憶體，還可以用它來判斷記憶體是否符合標稱的規格。

　　正確設定記憶體執行頻率僅僅只是優化記憶體的第一步，想要獲得更好的效能，調節FSB是最有效的手段。但由於這會使CPU執行頻率隨之上升，因此並不見得CPU就能穩定執行。一旦CPU的超頻能力足夠，那麼記憶體的最大穩定執行頻率也就至關重要了，這也就是為什麼發燒友們總是對PC150、PC166記憶體情有獨鍾的原因。

　　目前絕大多數主機板的BIOS都提供了對記憶體引數進行微調的功能，但廠商不同、具體主機板採用的晶片組不同，可以調節的專案也不相同。由於記憶體執行引數微調涉及到非常專業的知識，這裡我們只告訴大家該調節一些什麼專案，以及怎樣調節。

　　圖6 CL值是調節最頻繁的記憶體引數。CL是CAS Latency***CAS延時***的簡寫，該引數對記憶體效能的影響最大，CL值越小表明記憶體的效能越高。按PC133規範的技術文件說明，只有執行頻率為133MHz、CL=2的記憶體，才真正符合PC133標準。目前市面上的很多所謂的PC133記憶體都不能做到CL=2。DDR SDRAM記憶體的CL目前大多為2.5或2。

　　圖7 大多數主機板BIOS都可以設定CL引數的值***在主機板BIOS中該引數有的表示為CAS Latency，有的為SDRAM CAS Latency Time，也有如圖表示為SDRAM Cycle Length的***，這個引數理論上可以隨便設定，因此可以儘量嘗試減小該值。但此舉如導致系統無法啟動或執行中宕機，就應該及時還原該引數。

　　圖8 部分主機板提供了更為詳細的三個記憶體引數選擇——SDRAM RAS Precharge Time、SDRAM RAS To CAS Delay 和SDRAM CAS Latency Time。這幾個數值都可以慢慢嘗試將其減小。

　　圖9 從VIA 693晶片組開始，VIA公司的所有晶片組還支援一個比較特殊的設定，這就是SDRAM的四路交錯***4 Way Interleave***。該引數可以大大提高SDRAM的預充電效率，從而提升記憶體效能。目前很多采用VIA晶片組的主機板都有這個設定，它們在選單中的選項往往被稱為Bank Interleave。在設定時，我們只要將其更改為4 Bank或4 Way Interleave即可。