記憶體晶片的種類有哪些

　　愛學習的小夥伴們，你們知道記憶體晶片有哪些種類嗎?不知道的話跟著小編一起來學習瞭解記憶體晶片有哪些種類吧。

　　記憶體晶片有哪些種類

　　儲存器分類

　　簡稱：Cache

　　標準：Cache Memory

　　中文：快取記憶體

　　快取記憶體是隨機存取記憶體***RAM***的一種，其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器

　　***CPU***處理資料時，它會先到快取記憶體中尋找，如果資料因先前已經讀取而暫存其中，就不

　　需從記憶體中讀取資料。由於CPU的執行速度通常比主儲存器快，CPU若要連續存取記憶體的話，

　　必須等待數個機器週期造成浪費。所以提供“快取記憶體”的目的是適應CPU的讀取速度。如

　　Intel的Pentium處理器分別在片上集成了容量不同的指令快取記憶體和資料快取記憶體，通稱為

　　L1快取記憶體***Memory***。L2快取記憶體則通常是一顆獨立的靜態隨機存取記憶體***SRAM***晶片。

　　簡稱：DDR

　　標準：Double Date Rate

　　中文：雙倍資料傳輸率

　　DDR系統時脈為100或133MHz，但是資料傳輸速率為系統時脈的兩倍，即200或266MHz，系統

　　使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取

　　記憶體***SDRAM***好。

　　DDR is the acronym for Double Data Rate Synchronous DRAM ***SDRAM***. DDR SDRAM

　　memory technology is an evolutionary technology derived from mature SDRAM

　　technology. The secret to DDR memory's high performance is its ability to

　　perform two data operations in one clock cycle - providing twice the throughput

　　of SDRAM

　　簡稱：DIMM

　　標準：Dual in Line Memory Module

　　中文：雙直列記憶體條

　　DIMM是一個採用多塊隨機儲存器***RAM***晶片***Chip***焊接在一片PCB板上模組，它實際上是一

　　種封裝技術。在PCB板的一邊緣上，每面有64叫指狀銅接觸條，兩面共有168條。DIMM可以分

　　為3.3V和5V兩種電壓，這其中又有含緩衝器以及不含緩衝器兩種，目前比較常見的是3.3V含

　　緩衝器型別，而DIMM還需要一個抹除式只讀儲存器***EPROM***供基本輸出入系統***BIOS***儲存各

　　種引數，讓晶片組***Chipset***達到最佳狀態。

　　簡稱：DRAM

　　標準：Dynamic Random Access Memory

　　中文：動態隨機儲存器

　　一般計算機系統使用的隨機存取記憶體***RAM***可分動態與靜態隨機存取記憶體***SRAM***兩種，差異

　　在於DRAM需要由儲存器控制電路按一定週期對儲存器重新整理，才能維繫資料儲存，SRAM的資料

　　則不需要重新整理過程，在上電期間，資料不會丟失。

　　簡稱：ECC

　　標準：Error Checking and Correction***

　　在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位的誤差，也可以作雙位或多位的誤差核對與改

　　正。

　　簡稱：EDO DRAM

　　標準：Extend Data Out Dynamic Random Access Memory

　　中文：EDO動態隨機儲存器

　　EDO DRAM也稱為Hyper Page Mode DRAM，這是一種可以增加動態隨機存取記憶體***DRAM***讀取

　　效能的儲存器，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一週期

　　CAS#之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100個兆位元組***MB***增加到了200MB。

　　簡稱：EEPROM

　　標準：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory

　　中文：電子抹除式只讀儲存器

　　非揮發性儲存器。電源撤除後，儲存的資訊***Data***依然存在，在特殊管腳上施加電壓，同

　　時輸出相應命令，就可以擦除內部資料。典型應用於如電視機、空調中，儲存使用者設定的參

　　數。

　　這種儲存器支援再線修改資料，每次寫資料之前，必須保證書寫單元被擦除乾淨，寫一個數

　　據的大約時間在2-10ms之間。支援單位元組單元擦除功能。

　　簡稱：EPROM

　　標準：Erasable Programmable Read-Only Memory

　　中文：紫外擦除只讀存器

　　非揮發性儲存器。不需要電力來維持其內容，非常適合用作硬體當中的基本輸出入系統

　　***BIOS***。允許使用者以紫外線消除其中的程式重複使用。

　　這種儲存器不支援再線修改資料。

　　簡稱：Flash

　　標準：Memory

　　中文：閃爍儲存器

　　非揮發性儲存器。是目前在可線上可改寫的非揮發性儲存器中容量最大的儲存器。支援再

　　線修改資料，寫資料的速度比EEPROM提高1個數量級。

　　Flash應用於大容量的資料和程式儲存，如電子字典庫、固態硬碟、PDA上的作業系統等。

　　簡稱：FeRAM

　　標準：Ferroelectric random access memory

　　中文：鐵電儲存器

　　ferroelectric random access memory ***FRAM*** is a new generation of nonvolatile

　　memory that combines high-performance and low-power operation with the ability

　　to retain data without power.

　　FRAM has the fast read/write speed and low power of battery-backed SRAM and

　　eliminates the need for a battery

　　簡稱：MRAM

　　標準：Magnetoresistive Random Access Memory

　　中文：磁性隨機儲存器

　　磁性隨機儲存器是正在開發階段的，基於半導體***1T***和磁通道***magnetic tunnel

　　junction-MTJ***技術的固態儲存介質，屬於非揮發性晶片。主要開發廠商有IBM、Infineon

　　***英飛凌***、Cypress和Motorola***摩托羅拉***。其擦寫次數高於現有的Flash儲存器，可達

　　1015，讀寫時間可達70nS，

　　簡稱：RAM

　　標準：Random Access Memory

　　中文：隨機儲存器

　　隨機存取記憶體，是記憶體***Memory***的一種，由計算機CPU控制，是計算機主要的儲存區域，指

　　令和資料暫時存在這裡。RAM是可讀可寫的記憶體，它幫助中央處理器 ***CPU *** 工作，從鍵盤

　　***Keyboard *** 或滑鼠之類的來源讀取指令，幫助CPU把資料 ***Data*** 寫到一樣可讀可寫的輔

　　助記憶體 ***Auxiliary Memory*** ，以便日後仍可取用，也能主動把資料送到輸出裝置，例如打

　　印機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度，RAM越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的

　　速度越快。

　　簡稱：RDRAM

　　標準：Rambus DRAM

　　中文：Rambus動態隨機儲存器

　　這是一種主要用於影像加速的記憶體 ***Memory *** ，提供了1000Mbps的傳送速率，作業時不會

　　間斷，比起動態隨機存取記憶體 ***DRAM *** 的200mbps更加快速，當然價格比要DRAM貴。雖然

　　RDRA無法完全取代現有記憶體，不過因為匯流排 ***BUS*** 速度的需求，可以取代DRAM與靜態隨機

　　存取記憶體 ***SRAM *** 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 ***Hz *** ，製造商展示的RDRAM則可達

　　600MHz，記憶體也只有8或9位 ***bit *** 長，若將RDRAM並排使用，可以大幅增加頻寬

　　***Bandwidth*** ，將記憶體增為32或64位。

　　簡稱：ROM

　　標準：Read Only Memory

　　中文：只讀儲存器

　　只讀儲存器，這種記憶體 ***Memory *** 的內容任何情況下都不會改變，計算機與使用者只能讀

　　取儲存在這裡的指令，和使用儲存在ROM的資料，但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一

　　個非揮發性晶片上，也就是說，即使在關機之後記憶的內容仍可以被儲存，所以這種記憶體多

　　用來儲存特定功能的程式或系統程式。 ROM儲存用來啟用計算機的指令，開機的時候ROM提

　　供一連串的指令給中央處理單元進行測試，在最初的測試中，檢查RAM位置***location***以確

　　認其儲存資料的能力。此外其它電子元件包括鍵盤 ***Keyboard *** 、計時迴路***timer

　　circuit***以及CPU本身也被納入CPU的測試中。

　　簡稱：SDRAM

　　標準：Synchronous Dynamic RAM

　　中文：同步動態隨機儲存器

　　SDRAM的運作時脈和微處理器 ***Microprocessor*** 同步，所以可以比EDO 動態記憶模組

　　***EDO DRAM *** 的速度還快，採用3.3V電壓***EDO DRAM為5V***，168個接腳，還可以配合中央處

　　理器 ***CPU *** 的外頻 ***External Clock*** ，而有66與100MHz不同的規格，100MHz的規格就是

　　大家所熟知的PC100記憶體 ***Memory *** 。

　　簡稱：SIMM

　　標準：Single In-Line Memory Module

　　中文：單直列記憶體模組

　　記憶體***Memory ***模組的概念一直到80386時候才被應用在主機板***Mother Board***上，當時的

　　接腳主要為30個，可以提供8條資料 ***Data*** 存取線 ***Access Line***，一次資料存取

　　***Access***為32個位元組，所以分為四條一組，因此80386以四條為一個單位。而今一條SIMM為

　　72Pins，不過只能提供32位元組的工作量，但是外部的資料匯流排***Data Bus***為64位元組***bite***，

　　因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料***Data***處理工作。

　　簡稱：SRAM

　　標準：Static Random Access Memory

　　中文：靜態隨機儲存器

　　SRAM製造方法與動態隨機存取記憶體***DRAM ***不同，每個位使用6個電晶體***transistor***組

　　成，不需要不斷對電晶體週期重新整理以保持資料丟失，其存取時間較短控制電路簡單，但製造

　　成本較高，單片難以做到DRAM那樣容量。

　　簡稱：VCM SDRAM

　　標準：Virtual Channel Memory SDRAM

　　中文：虛擬通道儲存器

　　1999年由於SDRAM在市場上大為缺貨，而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及晶片組

　　***Chipset***業者，大力推廣所謂的VCM模組技術，而為消費者廣為接受，日本NEC更希望一舉

　　將VCM的規格推向工業級標準。VCM記憶體規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品，並加

　　強原有的SDRAM功能。昔日的SDRAM須等待中央處理器***CPU***處理完資料或VGA卡處理完資料

　　後，才能完整地送至SDRAM做進一步的處理，然而VCM的內部區分為16條虛擬通道Virtual

　　Channel***，每一個通道都負責一個單獨的memory master，因此可以減少記憶體***Memory***介面

　　的負擔，進而增加計算機使用者使用效率。 目前為全球第四大記憶體模組廠商的宇瞻科技與

　　日本NEC技術合作，在臺灣推出以PC133 ***PC133*** VCM記憶體模組為設計的筆記型計算機，由於

　　VCM技術可以減少記憶體介面的負擔，以及本身低耗電的特性，相當適合筆記型計算機的運

　　用，品質與一般個人計算機相較之下毫不遜色。