舊電腦記憶體升級教程

　　舊電腦記憶體怎麼升級?電腦使用時間久了，執行速度自然會變慢，當電腦執行速度太慢的時候，我們可以考慮為電腦記憶體進行一次升級，下面，就跟著小編一起來看看。

　　記憶體又稱主存，是CPU能直接定址的儲存空間，由半導體器件製成。記憶體的特點是存取速率快。記憶體是電腦中的主要部件，它是相對於外存而言的。記憶體就是暫時儲存程式以及資料的地方，比如當我們在使用WPS處理文稿時，當你在鍵盤上敲入字元時，它就被存入記憶體中，當你選擇存檔時，記憶體中的資料才會被存入硬***磁***盤。

　　1、確定升級方案：筆者電腦在操作過程中產生明顯的反應遲鈍現象，根據以往的經驗確定為記憶體過小導致，因為目前本機的記憶體只有2*256=512MB.因此，重要的解決辦法就是升級記憶體。考慮到升級成本和記憶體插槽個數的問題，計劃將其中的一根256MB記憶體替換1GB，升級後的記憶體大小為 10240MB+256MB=10496MB，約為1.25GB，已滿足實際需要。

　　2、開啟機箱，檢視主機板的詳細資訊。主機板上一般會有詳細的型號，根據這個型別，就可以在相關的網站上查詢與主機板相對應的一系列引數資訊。例如，筆者從主機板上獲取主機板的型號為：MS-6555。

　　3、根據該主機板的型號引數，通過上網查詢相關的官方網站，可得知關於此主機板的一系統引數，其中得到的最重要的幾個引數是：

　　記憶體型別：DDR

　　最大擴充套件記憶體：2GB

　　記憶體插槽數量：2*DDR DIMM

　　傳輸標準：PC1600/PC2100

　　4、引數概念的細化。***1***記憶體型別為“DDR”。***2***傳輸標準PC1600/PC2100，通過查詢得知其實就是DDR200/DDR266。***3***最大擴充套件記憶體：2GB。據此可得知，從最經濟、最實用的角度來看，可以選擇購買一根記憶體型別為“DDR266”、容量為1GB的記憶體作為替換。

　　5、根據這一要求在網上購買相關的硬體產品，買回來後，需要再次確定所購買的硬體產品的引數是否符合要求，在確定無誤的情況下，開啟包裝，此時要慎重!先讓手碰一下機箱，以消除人體的靜電，然後用手輕輕取出記憶體條，適度的插入到主機板上任意一個插槽中，確保記憶體條兩側的扣手將記憶體條卡緊。

　　6、完成後就可以安裝到機內主機板上開機除錯了，如果一切正常的話，在進入桌面以後，通過右擊“我的電腦”，在屬性視窗中即可檢視記憶體的實現容量，以確定記憶體是否得到正確升級。

　　注意事項

　　1、由於硬體的脆弱性，在升級之前一定要確定被替換的硬體和替換的硬體屬於同一型別。

　　2、用手拿記憶體條之前一定先要消除身上的靜電，防止靜電擊穿記憶體條上的電路器件。

　　關於記憶體條記憶體條是CPU可通過匯流排定址，並進行讀寫操作的電腦部件。記憶體條在個人電腦歷史上曾經是主記憶體的擴充套件。隨著電腦軟、硬體技術不斷更新的要求，記憶體條已成為讀寫記憶體的整體。我們通常所說電腦記憶體***RAM***的大小，即是指記憶體條的總容量。

　　記憶體條是電腦必不可少的組成部分，CPU可通過資料匯流排對記憶體定址。歷史上的電腦主機板上有主記憶體，記憶體條是主記憶體的擴充套件。以後的電腦主機板上沒有主記憶體，CPU完全依賴記憶體條。所有外存上的內容必須通過記憶體才能發揮作用。

　　關於記憶體條

　　記憶體條是CPU可通過匯流排定址，並進行讀寫操作的電腦部件。記憶體條在個人電腦歷史上曾經是主記憶體的擴充套件。隨著電腦軟、硬體技術不斷更新的要求，記憶體條已成為讀寫記憶體的整體。我們通常所說電腦記憶體***RAM***的大小，即是指記憶體條的總容量。

　　記憶體條是電腦必不可少的組成部分，CPU可通過資料匯流排對記憶體定址。歷史上的電腦主機板上有主記憶體，記憶體條是主記憶體的擴充套件。以後的電腦主機板上沒有主記憶體，CPU完全依賴記憶體條。所有外存上的內容必須通過記憶體才能發揮作用。

　　發展過程

　　誕生

　　起初，電腦所使用的記憶體是一塊塊的IC，我們必須把它們焊接到主機板上才能正常使用，一旦某一塊記憶體IC壞了，必須焊下來才能更換，這實在是太費勁了。後來，電腦設計人員發明了模組化的條裝記憶體，每一條上集成了多塊記憶體IC，相應地，在主機板上設計了記憶體插槽，這樣，記憶體條就可隨意拆卸了，從此，記憶體的維修和擴充都變得非常方便。

　　發展

　　記憶體晶片的狀態一直沿用到286初期，鑑於它存在著無法拆卸更換的弊病，這對於計算機的發展造成了現實的阻礙。有鑑於此，記憶體條便應運而生了。將記憶體晶片焊接到事先設計好的印刷線路板上，而電腦主機板上也改用記憶體插槽。這樣就把記憶體難以安裝更換的問題徹底解決了。

　　在80286主機板釋出之前，記憶體並沒有被世人所重視，這個時候的記憶體是直接固化在主機板上，而且容量只有64 ～256KB，對於當時PC所執行的工作程式來說，這種記憶體的效能以及容量足以滿足當時軟體程式的處理需要。不過隨著軟體程式和新一代80286硬體平臺的出現，程式和硬體對記憶體效能提出了更高要求，為了提高速度並擴大容量，記憶體必須以獨立的封裝形式出現，因而誕生了“記憶體條”概念。

　　在80286主機板剛推出的時候，記憶體條採用了SIMM***Single In-lineMemory Modules，單邊接觸記憶體模組***介面，容量為30pin、256kb，必須是由8 片資料位和1 片校驗位組成1 個bank，正因如此，我們見到的30pin SIMM一般是四條一起使用。自1982年PC進入民用市場，搭配80286處理器的30pin SIMM 記憶體是記憶體領域的開山鼻祖。

　　隨後，在1988 ～1990 年當中，PC 技術迎來另一個發展高峰，也就是386和486時代，此時CPU 已經向16bit 發展，所以30pin SIMM 記憶體再也無法滿足需求，其較低的記憶體頻寬已經成為急待解決的瓶頸，所以此時72pin SIMM 記憶體出現了，72pin SIMM支援32bit快速頁模式記憶體，記憶體頻寬得以大幅度提升。72pin SIMM記憶體單條容量一般為512KB ～2MB，而且僅要求兩條同時使用，由於其與30pin SIMM 記憶體無法相容，因此這個時候PC業界毅然將30pin SIMM 記憶體淘汰出局了。

　　EDO DRAM***Extended Date Out RAM，

　　外擴充資料模式儲存器***記憶體，這是1991 年到1995 年之間盛行的記憶體條，EDO-RAM同FP DRAM極其相似，它取消了擴充套件資料輸出記憶體與傳輸記憶體兩個儲存週期之間的時間間隔，在把資料傳送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，頻寬32bit，速度在40ns以上，其主要應用在當時的486及早期的Pentium電腦上。

　　在1991 年到1995 年中，讓我們看到一個尷尬的情況，那就是這幾年記憶體技術發展比較緩慢，幾乎停滯不前，所以我們看到此時EDO RAM有72 pin和168 pin並存的情況，事實上EDO 記憶體也屬於72pin SIMM 記憶體的範疇，不過它採用了全新的定址方式。EDO 在成本和容量上有所突破，憑藉著製作工藝的飛速發展，此時單條EDO 記憶體的容量已經達到4 ～16MB 。由於Pentium及更高級別的CPU資料匯流排寬度都是64bit甚至更高，所以EDO RAM與FPM RAM都必須成對使用。

　　SDRAM時代

　　自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關的主機板晶片組推出後，EDO DRAM記憶體效能再也無法滿足需要了，記憶體技術必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構的需求，此時記憶體開始進入比較經典的SDRAM時代。

　　第一代SDRAM 記憶體為PC66 規範，但很快由於Intel 和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66記憶體很快就被PC100記憶體取代，接著133MHz 外頻的PIII以及K7時代的來臨，PC133規範也以相同的方式進一步提升SDRAM 的整體效能，頻寬提高到1GB/sec以上。由於SDRAM 的頻寬為64bit，正好對應CPU 的64bit 資料匯流排寬度，因此它只需要一條記憶體便可工作，便捷性進一步提高。在效能方面，由於其輸入輸出訊號保持與系統外頻同步，因此速度明顯超越EDO 記憶體。

　　不可否認的是，SDRAM 記憶體由早期的66MHz，發展後來的100MHz、133MHz，儘管沒能徹底解決記憶體頻寬的瓶頸問題，但此時CPU超頻已經成為DIY使用者永恆的話題，所以不少使用者將品牌好的PC100品牌記憶體超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻使用者需求，市場上出現了一些PC150、PC166規範的記憶體。

　　儘管SDRAM PC133記憶體的頻寬可提高頻寬到1064MB/S，加上Intel已經開始著手最新的Pentium 4計劃，所以SDRAM PC133記憶體不能滿足日後的發展需求，此時，Intel為了達到獨佔市場的目的，與Rambus聯合在PC市場推廣Rambus DRAM記憶體***稱為RDRAM記憶體***。與SDRAM不同的是，其採用了新一代高速簡單記憶體架構，基於一種類RISC***Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機***理論，這個理論可以減少資料的複雜性，使得整個系統性能得到提高。

　　在AMD與Intel的競爭中，這個時候是屬於頻率競備時代，所以這個時候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器，因此Rambus DRAM記憶體是被Intel看著是未來自己的競爭殺手鐗，Rambus DRAM記憶體以高時鐘頻率來簡化每個時鐘週期的資料量，因此記憶體頻寬相當出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits頻寬可達到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被認為是Pentium 4 的絕配。

　　儘管如此，Rambus RDRAM 記憶體生不逢時，後來依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地位，在當時，PC600、PC700的Rambus RDRAM 記憶體因出現Intel820 晶片組“失誤事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本過高而讓Pentium 4平臺高高在上，無法獲得大眾使用者擁戴，種種問題讓Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066 規範RDRAM來力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR 記憶體面前。

　　DDR時代

　　DDR SDRAM***Dual DataRate SDRAM***簡稱DDR，

　　也就是“雙倍速率SDRAM“的意思。DDR可以說是SDRAM的升級版本，DDR在時鐘訊號上升沿與下降沿各傳輸一次資料，這使得DDR的資料傳輸速度為傳統SDRAM的兩倍。由於僅多采用了下降緣訊號，因此並不會造成能耗增加。至於定址與控制訊號則與傳統SDRAM相同，僅在時鐘上升緣傳輸。

　　DDR 記憶體是作為一種在效能與成本之間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的市場空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進，最終彌補記憶體頻寬上的不足。第一代DDR200 規範並沒有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM***133MHz時鐘×2倍資料傳輸=266MHz頻寬***是由PC133 SDRAM記憶體所衍生出的，它將DDR 記憶體帶向第一個高潮，另外還有不少賽揚和AMD K7處理器都在採用DDR266規格的記憶體，其後來的DDR333記憶體也屬於一種過渡，而DDR400記憶體成為當下的主流平臺選配，雙通道DDR400記憶體已經成為800FSB處理器搭配的基本標準，隨後的DDR533 規範則成為超頻使用者的選擇物件。

　　DDR2時代

　　DDR2***Double Data Rate 2***SDRAM是由JEDEC***電子裝置工程聯合委員會***進行開發的新生代記憶體技術標準，它與上一代DDR記憶體技術標準最大的不同就是，雖然同是採用了在時鐘的上升/下降延同時進行資料傳輸的基本方式，但DDR2記憶體卻擁有兩倍於上一代DDR記憶體預讀取能力***即：4bit資料讀預取***。換句話說，DDR2記憶體每個時鐘能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫資料，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度執行。

　　此外，由於DDR2標準規定所有DDR2記憶體均採用FBGA封裝形式，而不同於廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣效能與散熱性，為DDR2記憶體的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高記憶體的工作速度;隨著Intel最新處理器技術的發展，前端匯流排對記憶體頻寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定執行頻率的DDR2記憶體將是大勢所趨。

　　隨著CPU 效能不斷提高，我們對記憶體效能的要求也逐步升級。不可否認，僅僅依高頻率提升頻寬的DDR遲早會力不從心，因此JEDEC 組織很早就開始醞釀DDR2 標準，加上LGA775介面的915/925以及最新的945等新平臺開始對DDR2記憶體的支援，所以DDR2記憶體將開始演義記憶體領域的今天。

　　DDR2 能夠在100MHz 的發信頻率基礎上提供每插腳最少400MB/s 的頻寬，而且其介面將運行於1.8V 電壓上，從而進一步降低發熱量，以便提高頻率。此外，DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新效能指標和中斷指令，提升記憶體頻寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標準來看，針對PC等市場的DDR2記憶體將擁有400、533、667MHz等不同的時鐘頻率。高階的DDR2記憶體將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II記憶體將採用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2記憶體將採用0.13微米的生產工藝，記憶體顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。

　　記憶體技術在2005年將會毫無懸念，SDRAM為代表的靜態記憶體在五年內不會普及。QBM與RDRAM記憶體也難以挽回頹勢，因此DDR與DDR2共存時代將是鐵定的事實。

　　PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM***VirXual Channel Memory***也是很重要的一員。VCM即“虛擬通道儲存器”，這也是大多數較新的晶片組支援的一種記憶體標準，VCM記憶體主要根據由NEC公司開發的一種“快取式DRAM”技術製造而成，它集成了“通道快取”，由高速暫存器進行配置和控制。在實現高速資料傳輸的同時，VCM還維持著對傳統SDRAM的高度相容性，所以通常也把VCM記憶體稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在於不論是否經過CPU處理的資料，都可先交於VCM進行處理，而普通的SDRAM就只能處理經CPU處理以後的資料，所以VCM要比SDRAM處理資料的速度快20%以上。可以支援VCM SDRAM的晶片組很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。

　　RDRAM

　　Intel在推出：PC-100後，由於技術的發展，PC-100記憶體的800MB/s頻寬已經不能滿足需求，而PC-133的頻寬提高並不大***1064MB/s***，同樣不能滿足日後的發展需求。Intel為了達到獨佔市場的目的，與Rambus公司聯合在PC市場推廣Rambus DRAM***DirectRambus DRAM***，如圖4-3所示。

　　Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一種記憶體規格，採用了新一代高速簡單記憶體架構，從而可以減少資料的複雜性，使得整個系統性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit匯流排，在一個時鐘週期內，可以在上升沿和下降沿的同時傳輸資料，這樣它的實際速度就為400MHz×2=800MHz，理論頻寬為***16bit×2×400MHz/8***1.6GB/s，相當於PC-100的兩倍。另外，Rambus也可以儲存9bit位元組，額外的一位元是屬於保留位元，可能以後會作為：ECC***ErroI·Checking and Correction，錯誤檢查修正***校驗位。Rambus的時鐘可以高達400MHz，而且僅使用了30條銅線連線記憶體控制器和RIMM***Rambus In-line MemoryModules，Rambus內嵌式記憶體模組***，減少銅線的長度和數量就可以降低資料傳輸中的電磁干擾，從而快速地提高記憶體的工作頻率。不過在高頻率下，其發出的熱量肯定會增加，因此第一款Rambus記憶體甚至需要自帶散熱風扇。

　　DDR3時代

　　DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓，從DDR2的1.8V降落到1.5V，效能更好更為省電;DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀。DDR3最高能夠以2400Mhz的速度，由於最為快速的DDR2記憶體速度已經提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3記憶體模組將會從1333Mhz的起跳。在Computex大展我們看到多個記憶體廠商展出1333Mhz的DDR3模組。

　　DDR3在DDR2基礎上採用的新型設計：

　　1.8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM核心的頻率只有介面頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。

　　2.採用點對點的拓撲架構，以減輕地址/命令與控制匯流排的負擔。

　　3.採用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加非同步重置***Reset***與ZQ校準功能。

　　DDR4時代

　　DDR4記憶體將會擁有兩種規格。其中使用Single-endedSignaling訊號的DDR4記憶體其傳輸速率已經被確認為1.6～3.2Gbps，而基於差分訊號技術的DDR4記憶體其傳輸速率則將可以達到***Gbps。由於通過一個DRAM實現兩種介面基本上是不可能的，因此DDR4記憶體將會同時存在基於傳統SE訊號和差分訊號的兩種規格產品。

　　根據多位半導體業界相關人員的介紹，DDR4記憶體將會是Single-endedSignaling*** 傳統SE訊號***方式DifferentialSignaling*** 差分訊號技術 ***方式並存。預計這兩個標準將會推出不同的晶片產品，因此在DDR4記憶體時代我們將會看到兩個互不相容的記憶體產品