記憶體傳輸型別是什麼意思

　　?記憶體傳輸型別,是指記憶體所採用的記憶體型別。不同型別的記憶體,傳輸型別各有差異,下面跟著小編來一起了解下記憶體傳輸型別吧。

　　記憶體傳輸型別詳解

　　記憶體傳輸型別，是指記憶體所採用的記憶體型別。不同型別的記憶體，傳輸型別各有差異，在傳輸率、工作頻率、工作方式、工作電壓等方面，都有不同。目前，市場中主要有的記憶體型別有SDRAM、DDRSDRAM和RDRAM三種。其中，DDRSDRAM記憶體佔據了市場的主流，而SDRAM記憶體規格已不再發展，處於被淘汰的行列。RDRAM則始終未成為市場的主流，只有部分晶片組支援，而這些晶片組也逐漸退出了市場，RDRAM前景並不被看好。

　　1***SDRAM

　　SDRAM，即SynchronousDRAM***同步動態隨機儲存器***，曾經是PC電腦上最為廣泛應用的一種記憶體型別，即便在今天，SDRAM仍舊還在市場佔有一席之地。既然是同步動態隨機儲存器，那就代表著它的工作速度是與系統匯流排速度同步的。

　　SDRAM記憶體又分為PC66、PC100、PC133等不同規格，而規格後面的數字，就代表著該記憶體最大所能正常工作的系統匯流排速度，如PC100，那就說明此記憶體可以在系統匯流排為100MHz的電腦中同步工作。

　　與系統匯流排速度同步，也就是與系統時鐘同步，這樣就避免了不必要的等待週期，減少資料儲存時間。同步還使儲存控制器知道在哪一個時鐘脈衝期由資料請求使用，因此資料可在脈衝上升期便開始傳輸。SDRAM採用3.3伏工作電壓，168Pin的DIMM介面，頻寬為64位。SDRAM不僅應用在記憶體上，在視訊記憶體上也較為常見。

　　2***DDR

　　嚴格的說，DDR應該叫DDRSDRAM，人們習慣稱為DDR。部分初學者也常看到DDRSDRAM，就認為是SDRAM。DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機儲存器的意思。

　　DDR記憶體是在SDRAM記憶體的基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系。因此，對於記憶體廠商而言，只需對製造普通SDRAM的裝置稍加改進，即可實現DDR記憶體的生產，可有效的降低成本。

　　SDRAM在一個時鐘週期內只傳輸一次資料，它是在時鐘的上升期進行資料傳輸;而DDR記憶體則是一個時鐘週期內傳輸兩次資料，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次資料。因此，稱為雙倍速率同步動態隨機儲存器。DDR記憶體可以在與SDRAM相同的匯流排頻率下，達到更高的資料傳輸率。

　　與SDRAM相比，DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、資料輸送和輸出的主要步驟，既獨立執行，又保持與CPU完全同步。DDR使用了DLL***DelayLockedLoop，延時鎖定迴路提供一個數據濾波訊號***技術，當資料有效時，儲存控制器可使用這個資料濾波訊號來精確定位資料，每16次輸出一次，並重新同步來自不同儲存器模組的資料。DDR本質上不需要提高時鐘頻率，就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈衝的上升沿和下降沿讀出資料，因而其速度是標準SDRA的兩倍。

　　從外形體積上看，DDR與SDRAM相比差別並不大。他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等訊號。DDR記憶體採用的是支援2.5V電壓的SSTL2標準，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標準。

　　3***RDRAM

　　RDRAM***RambusDRAM***是美國的RAMBUS公司開發的一種記憶體。與DDR和SDRAM不同，它採用了序列的資料傳輸模式。在推出時，因為其徹底改變了記憶體的傳輸模式，無法保證與原有的製造工藝相相容，而且記憶體廠商要生產RDRAM，還必須要迦納一定專利費用，再加上其本身製造成本，就導致了RDRAM從一問世就高昂的價格，讓普通使用者無法接收。而同時期的DDR則能以較低的價格，不錯的效能，逐漸成為主流，雖然RDRAM曾受到英特爾公司的大力支援，但始終沒有成為主流。

　　RDRAM的資料儲存位寬是16位，遠低於DDR和SDRAM的64位。但在頻率方面，則遠遠高於二者，可以達到400MHz乃至更高。同樣也是在一個時鐘週期內傳輸兩次次資料，能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次資料，記憶體頻寬能達到1.6Gbyte/s。

　　普通的DRAM行緩衝器的資訊，在寫回儲存器後便不再保留，而RDRAM則具有繼續保持這一資訊的特性，於是在進行儲存器訪問時，如行緩衝器中已經有目標資料，則可利用，因而實現了高速訪問。另外，其可把資料集中起來，以分組的形式傳送。所以，只要最初用24個時鐘，以後便可每1時鐘讀出1個位元組。一次訪問所能讀出的資料長度，可以達到256位元組。

　　4***DDR2

　　DDR2***DoubleDataRate2***SDRAM，是由JEDEC***電子裝置工程聯合委員會***進行開發的新生代記憶體技術標準，它與上一代DDR記憶體技術標準最大的不同就是，雖然同是採用了在時鐘的上升/下降延同時進行資料傳輸的基本方式，但DDR2記憶體卻擁有兩倍於上一代DDR記憶體預讀取能力***即：4bit資料讀預取***。換句話說，DDR2記憶體每個時鐘能夠以4倍於外部匯流排的速度讀/寫資料，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度執行。

　　DDR和DDR2技術對比的資料此外，由於DDR2標準規定所有DDR2記憶體均採用FBGA封裝形式，而不同於目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣效能與散熱性，為DDR2記憶體的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200，經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高記憶體的工作速度。隨著Intel最新處理器技術的發展，前端匯流排對記憶體頻寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定執行頻率的DDR2記憶體將是大勢所趨。

　　DDR4記憶體的改進：

　　1.DDR4記憶體條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀

　　2.DDR4記憶體頻率提升明顯，可達4266MHz

　　3.DDR4記憶體容量提升明顯，可達128GB

　　4.DDR4功耗明顯降低，電壓達到1.2V、甚至更低

　　很多電腦使用者可能對於記憶體的內在改進不會有太多的關注，而外在的變化更容易被人發現，一直一來，記憶體的金手指都是直線型的，而在DDR4這一代，記憶體的金手指發生了明顯的改變，那就是變得彎曲了，其實一直一來，平直的記憶體金手指插入記憶體插槽後，受到的摩擦力較大，因此記憶體存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個問題，DDR4將記憶體下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。這樣的設計既可以保證DDR4記憶體的金手指和記憶體插槽觸點有足夠的接觸面，訊號傳輸確保訊號穩定的同時，讓中間凸起的部分和記憶體插槽產生足夠的摩擦力穩定記憶體。

　　其次，DDR4記憶體的金手指本身設計有較明顯變化。金手指中間的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更為靠近中央。在金手指觸點數量方面，普通DDR4記憶體有284個，而DDR3則是240個，每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm，膝上型電腦記憶體上使用的SO-DIMM DDR4記憶體有256個觸點，SO-DIMM DDR3有204個觸點，間距從0.6毫米縮減到了0.5毫米。

　　第三，標準尺寸的DDR4記憶體在PCB、長度和高度上，也做出了一定調整。由於DDR4晶片封裝方式的改變以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB層數相比DDR3更多，而整體尺寸也有了不同的變化