能帶結構圖怎麼理解?
如何考察結構能帶
如何考察一個能帶（DOS）結構和複雜的相互作用 Part 1 Electric conductivity and Band structures
固體計算最終結果將以能帶結構展示出來，關於能帶結構，固體中化學鍵分析，軌道之間的相互作用的解釋等是一個複雜的過程，這裡只是簡單的根據本人的經驗對此作定性的描述. 根據Fermi面附近能帶的分佈情況，固體分為絕緣體（insulator），半導體（semi－conductor），導體（conductor），導體比較典型的是金屬，能帶在Fermi面附近是連續分佈，主要由於金屬d，s以及p軌道之間能級重疊導致了Fermi面能帶的聯繫分佈，金屬電導的好壞不僅僅是看Fermi附近是不是存在可供電子躍遷的能級，還要看這些能級是不是擴展態（extended or delocalized states），如果是定域態（localized）那麼及時Fermi附近呈現Metallic特性，電導不會比金屬好，比如過渡金屬化合物電導就要比金屬本身差很多。過渡金屬本身電導也會受到d軌道擴展程度的影響，比如3d系列Fe，Co，Ni等電導率不是很大，比起Cu，Ag等就差的遠了，對於Fe等金屬Fermi面主要陳分是3d軌道，而對於Cu和Ag，由於3d（4d）軌道已經成滿層排列，因此Fermi面落在了擴展的s軌道上面，這些軌道上的電子類似於自由電子氣，能帶呈現拋物線的形式，E(k)=h^2k^2/2me; 具有比較高的電導率，相反Fe等的3d軌道成分也可以分為巡遊電子（自由電子，軌道為擴展性，能帶呈現拋物線特點）和定域軌道兩類，定於軌道能帶在k空間是離域的，色散關係比較平直，但在晶體實空間內高度的定域，受到原子核的Coulomb吸引作用比較強烈，難以發生遷移，因此如果填充電子落在這些d軌道上面，電導性會大大降低。當然具體取決於DOS或者能帶是如何分佈的，這個和晶體結構有關係。在一些化合物中如TiC等結構中，Fermi面最後落在以C2p軌道為主要成分的能帶上面，p軌道主要參與結構共價鍵形成，這些電子能級一般定域在Ti和C原子周圍，電子處於緊束縛狀態，難以在外加電場下發生遷移，因此這時候化合物的電導會進一步下降。 Part 2 關於半導體能帶的特點：
半導體能帶類似於絕緣體，區別在於帶隙數值，一般認為寬帶隙半導體的能帶最大在4eV左右。如果比這個更大，可以認為是絕緣體。半導體能帶主要分成三個部分：valence band， band gap， conduction band。
Valence band：主要由電負性較大的原子組成，如InP，價帶主要是P的3s，3p軌道，導帶一般是金屬原子組成，如In的s，p軌道等。從化學鍵角度考慮，價帶一般是Bonding，當然也有部分結構表現出Anti－bonding狀態。
同質P-N結的能帶結構圖是如何得出的
p-n結基本概念是解決許多微電子和光電子器件的物理基礎。對於許多半導場器件問題的理解不夠深透，歸根到底還在於對於p-n結概念的認識尚有模糊之處的緣故。
因為p-n結的一個重要特點就是其中存在有電場很強的空間電荷區，故p-n結的形成機理，關鍵也就在於空間電荷區的形成問題；p-n結的能帶也就反映了空間電荷區中電場的作用。
(1) 載流子的轉移：
p型半導體和n型半導體在此需要考慮的兩個不同點即為（見圖(a)）：①功函數W不同；②主要（多數）載流子種類不同。因此，當p型半導體和n型半導體緊密結合而成的一個體系——p-n結時，為了達到熱平衡狀態（即無能量轉移的動態平衡狀態），就會出現載流子的轉移：電子從功函數小的半導體發射到功函數大的半導體去，或者載流子從濃度大的一邊擴散到濃度小的一邊去。對於同質結而言，載流子的轉移機理主要是濃度梯度所引起的擴散；對於異質結（例如Si-Ge異質結，金屬-半導體接觸）而言，載流子的轉移機理則主要是功函數不同所引起的熱發射。
(2) 空間電荷和內建電場的產生：
現在考慮同質p-n結的形成：在p型半導體與n型半導體的接觸邊緣附近處（即冶金學界面附近處），當有空穴從p型半導體擴散到n型半導體一邊去了之後，就在n型半導體中增加了正電荷，同時在p型半導體中減少了正電荷，從而也就在p型半導體中留下了不能移動的電離受主中心——負離子中心；與此同時，當有電子從n型半導體擴散到p型半導體一邊去了之後，就在p型半導體中增加了負電荷，同時在n型半導體中減少了負電荷，從而也就在n型半導體中留下了不能移動的電離施主中心——正離子中心。這就意味著，在p型半導體一邊多出了負電荷（由電離受主中心和電子所提供），在n型半導體一邊多出了正電荷（由電離施主中心和空穴所提供），這些由電離雜質中心和載流子所提供的多餘電荷即稱為空間電荷，它們都侷限於接觸邊緣附近處，以電偶極層的形式存在，如圖(b)所示。
由於在兩種半導體接觸邊緣的附近處存在著正、負空間電荷分列兩邊的偶極層，所以就產生出一個從n型半導體指向p型半導體的電場，稱為內建電場。在此，內建電場僅侷限於空間電荷區範圍以內，在空間電荷區以外都是不存在電場的電中性區。
至於勢壘區中內建電場的分佈形式，決定於空間電荷的分佈，主要是決定於摻雜濃度的分佈。對於摻雜濃度在p-n結冶金學界面處突然改變者，稱為突變結，其中內建電場在勢壘區兩邊的分佈基本上是線性分佈；對於摻雜濃度在p-n結冶金學界面處線性地改變者，稱為線性緩變結，其中內建電場的分佈近似為亞拋物線分佈。
(3) p-n結的勢壘和能帶：
因為在p-n結界面附近處存在著內建電場，而該內建電場的方向正好是阻擋著空穴進一步從p型半導體擴散到n型半導體去，同時也阻擋著電子從n型半導體進一步擴散到p型半導體去。於是從能量上來看，由於空間電荷-內建電場的出現，就使得電子在p型半導體一邊的能量提高了，同時空穴在n型半導體一邊的能量也提高了；而在界面附近處產生出了一個阻擋載流子進一步擴散的勢壘——p-n結勢壘。根據內建電場所引起的這種能量變化關係，即可畫出p-n結的能帶圖，如圖(c)所示。在達到熱平衡之後，兩邊的Fermi能級（EF）是拉平（統一）的。能帶的傾斜就表示著電場的存在。
①勢壘高度：
實際上，在p-n結界面處的內建電場就使得p型半導體與n型半導體之間產生了電位差——內建電勢差（或內建電壓）。電場越強，內建電勢差就越大。此內建電勢差所對應的能量差（能量差=電勢差×電子電荷），即為p-n結的勢壘高度。雖然勢壘高度並不直接反映的......
band structure圖怎麼看
MS
計算能帶圖分析
能帶圖的橫座標是在模型對稱性基礎上取的
K
點。為什麼要取
K
點呢？因為晶體的周
期性使得薛定諤方程的解也具有了週期性。按照對稱性取
K
點，可以保證以最小的計算量
獲得最全的能量特徵解。能帶圖橫座標是
K
點，其實就是倒格空間中的幾何點。其中最重
要也最簡單的就是
gamma
那個點，因為這個點在任何幾何結構中都具有對稱性，所以在
castep
裡，有個最簡單的
K
點選擇，就是那個
gamma
選項。縱座標是能量。那麼能帶圖應
該就是表示了研究體系中，各個具有對稱性位置的點的能量。
我們所得到的體系總能量，
應
該就是整個體系各個點能量的加和。
記得氫原子的能量線吧？能帶圖中的能量帶就像是氫原子中的每條能量線都拉寬為一個
帶。通過能帶圖，能把價帶和導帶看出來。在
castep
裡，分析能帶結構的時候給定
scissors
這個選項某個值，
就可以加大價帶和導帶之間的空隙，
把絕緣體的價帶和導帶清楚地區分出
來。
DOS
叫態密度，也就是體系各個狀態的密度，各個能量狀態的密度。從
DOS
圖也可以
清晰地看出帶隙、價帶、導帶的位置。要理解
DOS
，需要將能帶圖和
DOS
結合起來。分析
的時候，如果選擇了
full
，就會把體系的總態密度顯示出來，如果選擇了
PDOS
，就可以分
別把體系的
s
、
p
、
d
、
f
狀態的態密度分別顯示出來。還有一點要注意的是，如果在分析的
時候你選擇了單個原子，
那麼顯示出來的就是這個原子的態密度。
否則顯示的就是整個體系
原子的態密度。要把週期性結構能量由於微擾裂分成各個能帶這個概念印在腦袋裡。
最後還有一點，這裡所有的能帶圖和
DOS
的討論都是針對體系中的所有電子展開的。研究
的是體系中所有電子的能量狀態。
根據量子力學假設，
由於原子核的質量遠遠大於電子，
因
此奧本海默假設原子核是靜止不動的，
電子圍繞原子核以某一概率在某個時刻出現。
我們經
常提到的總能量，就是體系電子的總能量。
這些是我看書的體會，不一定準確，大家多多批評啊！
摘要：本文總結了對於第一原理計算工作的結果分析的三個重要方面，以及各自的若
幹要點用第一原理計算軟件開展的工作，分析結果主要是從以下三個方面進行定性
/
定量的
討論：
1
、電荷密度圖（
charge density
）
；
2
、能帶結構（
Energy Band Structure
）
；
3
、態密度（
Density of States
，簡稱
DOS
）
。
電荷密度圖是以圖的形式出現在文章中，非常直觀，因此對於一般的入門級研究人員
來講不會有任何的疑問。
唯一需要注意的就是這種分析的種種衍生形式，
比如差分電荷密圖
（
def-ormation charge density
）和二次差分圖（
difference charge density
）等等，加自旋極化
的工作還可能有自旋極化電荷密度圖（
spin-polarized
charge
density
）
。所謂
“
差分
”
是指原子
組成體系（團簇）之後電荷的重新分佈，
“
二次
”
是指同一個體系化學成分或者幾何構型改變
之後電荷的重新分佈，
因此通過這種差分圖可以很直觀地看出體系中個原子的成鍵情況。
通
過電荷聚集（
accumulation
）
/
損失（
depletion
）的具體空間分佈，看成鍵的極性強弱；通過
某格點附近的電荷分佈形狀判斷成鍵的軌道
（這個主要是對
d
軌道的分析，
對......
如何畫異質結的能帶結構示意圖，急求
沒有明確的統一規定，一般你可模擬畫個投影的外形，然後必須得有吊車的作業半徑，就是多大噸位的半徑（主勾、付勾的），證明你佈置正確！不能和其它吊車、建築物相撞，有能和本建築有一很好的鏈接（有的塔吊還要與建築有一臨時支撐等）
我想畫文獻裡的那種能帶結構圖。。。有辦法嗎？用軟件畫 10分
這要看你需要畫的是什麼圖了，不同的圖有特殊的要求。如果僅僅是普通的框架，word就可以了，要是什麼設計之類的就是CAD，立體圖那就多了，p頂o/E，3Dmax，MATLAB之類的，很多，總之要找到合適的，不知道你要畫那種圖了，呵呵
電子的能量為什麼能得到不同的能帶圖
同質P-N結的能帶結構圖的得出方法如下：
因為在p-n結界面附近處存在著內建電場，而該內建電場的方向正好是阻擋著空穴進一步從p型半導體擴散到n型半導體去，同時也阻擋著電子從n型半導體進一步擴散到p型半導體去。於是從能量上來看，由於空間電荷-內建電場的出現，就使得電子在p型半導體一邊的能量提高了，同時空穴在n型半導體一邊的能量也提高了；而在界面附近處產生出了一個阻擋載流子進一步擴散的勢壘——p-n結勢壘。根據內建電場所引起的這種能量變化關係，即可畫出p-n結的能帶圖。在達到熱平衡之後，兩邊的Fermi能級（EF）是拉平（統一）的。能帶的傾斜就表示著電場的存在。
P-N結的定義：
採用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。PN結具有單向導電性，是電子技術中許多器件所利用的特性，例如半導體二極管、雙極性晶體管的物質基礎。