前提條件
對齊層;刪除了外圍線和外圍線外的物件;校正了孔偏(對Pad)
製作要求
1：檢查線路是否補償（少於12mil進行補償1mil），
SMD是否需要補償，短邊小於10mil進行補償1mil，
BGA一定要定義SMD屬性(BGA少於14mil也要進行補償1mi)。
IC測試點少於14mi進行補償(2mil)
2：VIA，PTH孔的RING環做夠要求最小4mil,最優6mil。
間距（線距，線pad，pad到pad，..）做夠4mil。極限3.5mil
3：檢視MI中是否有特別何必修改要求,及是否要加U-LOGO等。
公司要求
4：NPTH孔削銅單邊6mil，外圍是否削夠單邊12mil。V-cut線單邊15mil.
5：特別注意是否有阻抗，如果有時則要按MI中要求製作。
6: 是否要過V-CUT，如果有則要加V-CUT測點。
如果是記憶體條板則對應加鑽孔。
一般流程
轉綠油Pad----à轉線路PAD----à設定SMD屬性----à轉Surface(無大銅皮則省) ----à
加大線路和SMD PAD----à掏銅皮----à優化並根據優化結果修改----àNPTH孔削銅
----à削外圍----à檢測並根據檢測結果報告修正錯誤
操作詳解
1,轉綠油Pad
右擊防焊層選Features Histogramà選中線列表Line List裡的物件àDFMàCleanup
àConstruct Pads by ReferenceàERF設定為Affected layeràTolerance處填的是要轉
PAD的同類物件之間的大小差別數值，如1或1.5à其他不動執行即可
這裡用的是手動轉PAD，轉完仔細檢視下是否全部轉為PAD？
2,轉線路Pad
DFàCleanupàConstruct Pads(Auto.，all Angles)à設定引數意思如下：
ERF：選Outers Layer：選要轉PAD的外層名
Reference SM：選擇轉好PAD的與上面外層對應的防焊層
Tolreance：大小相差不超過此值的同類要轉圖象將被轉為同一類PAD
Minimum：要建立PAD的最小尺寸，用來過濾掉做為PAD的小細線的標識
Maximum：要建立PAD的最大尺寸，用來過濾掉標識為PAD的大銅皮
其他一般不用設定,每次只是轉一層，因為這裡用的參考轉PAD，同樣轉完要檢視
3,設定SMD屬性
目的是防止用來貼片的PAD被系統亂改動，因為這種PAD沒鑽孔對應，只是用來在上面以貼片的形式把電子元件焊上去。
影響外層兩層àDFMàCleanupàSet SMD AttributeàERF：選Non Drilledà
Layer：換成 .affectedà其他不動執行即可
注意：象光學點、BGA之類的圓形PAD用上面的功能無效，要另外手動新增。
大致方法如下：
選中要設定的PADàEditàAttributesàChangeà在彈出視窗中點Attributesà
在彈出視窗中點選.SMD再點Add，Closeà點OK即可
4,轉Surface 如果沒有大銅皮則此步可省
選中要轉的大銅皮àEditàReshapeàContourize…引數不用設定直接點OK即可
選大銅皮可雙擊銅皮內的線或ActionsàSelect Drawn。。。,關鍵是不要把不是銅皮的物件也選進來了
5,加大線路和SMD PAD
選中要補償的線路(比如要求小於15mil的線路就要補償)àEditàResizeàGlobal…
在引數Size後填1點OK即可,因為一般只要求補償1mil(在原來的基礎上整體加大)
注意：有的MI中有最小線寬要求，對於那些沒達到最小值的線只有直接改為最小值
常用EditàReshapeàChange Symbol
加大SMD PAD 方法同上，只不過先要選中SMD PAD，這個可以通過物件過濾器
（視窗右邊上面有?號的哪個圖示），裡面有個User Filter按鈕，裡面可以把影響層內
帶SMD屬性的所有PAD選中（點選Select SMD Pad再點OK）
6,掏銅皮
先檢視各種物件到銅皮的距離是否夠要求，有不夠的地方才要此步
A> 選中銅皮àMoveàOther LayeràTarget layer：填個即將要建立的層名點OK即可
B> 利用參考選擇選中鑽孔層沒與銅皮接觸的孔,加大足夠大小轉為負的複製到上面剛建立的層上去即可，常用命令EditàCopyàOther Layer
C> 然後後把原來被移走銅皮的層上的物件移到剛建立的層上來
D> 與原稿核對，認為掏夠距離後，覆蓋到被移走物件的層即可，用
7,優化並根據結果修改
設定好影響層àDFMàOptimizationàSignal Layer Optimization
本操作是按設定的引數對訊號層進行優化,它自動會削Pad來解決間距問題,同時保持足夠的焊環寬度;還會對線路重新佈線以及其他修改.當然對無法自動修補的但又違反引數設定的地方也會在報告裡說明,我們可以配合結果檢視器給予手動修改
.
(1) 引數設定
ERF: Inner Layers Signal Layer: .affected
PTH AR Min: 7 Opt: 8 設定PTH孔令環的最小值和最佳值
VIA AR Min: 3 Opt: 6 設定導通孔令環的最小值和最佳值
Spacing Min: 4 Opt: 4 欲維持的最小間距和最佳間距
Drill to Cu: 10 鑽孔邊到銅箔間的距離
Modification: PadUp Shave
選擇修正錯誤的方式:我們只選加大Pad和削Pad兩種就夠
其他引數一般都不調整,最好是先把最小間距設為0.1後去優化(讓Pad儘量加大)再設回4去優化.
(1) 報告結果
ARG Violation 違反最小令環值但無法自動修補
ARG Violation(OPT) 違反最佳令環值但系統無法修補
Spacing Violation 間距不足最小值
Spacing Violation(OPT) 間距不足最佳值
H2Cu Violation 孔邊到銅箔的距離不夠
Unfillable Polygon Shave 無法將Polygon Shave t填成線
Pad Enlarge>limit AR加大值超出界限,所以沒加大
Same Net Space AR加大後會造成同NET間距不夠,所以沒加大
這裡只列出違規報告專案,報告專案含義可以自己在練習的時候通過檢視違規圖樣去加深體會;在報告中的什麼錯誤怎麼手動修改,也只有靠自己去多練習多總結經驗,不能一一列舉.
8,NPTH孔削銅 （同內層正片的Npth孔削銅）
先看NPTH孔到銅邊的距離是否達到要求,沒達到就加大NPTH孔用負的去反掏
9,削外圍
(1) 選中外圍線àEDITàReshapeàChange Symbol…
.輸入r30點OK,就把外圍加大到30mil(Resize 操作是在原來基礎上加大,而這裡是加大到多少)加大到多少視具體情況而言(本操作同樣適用於其他層的設計)
(2) 把加大的外圍線跟要削的層比較,看是否會削掉有用的東西,如會則酌情處理
(3)選中加大後的外圍àEDITàCopyàOther Layer…
Destination:視情況選擇,如果你一層層削外圍,則可選Layer Name:然後在下面輸入層名即可,如果選Affected Layers則必須在把影響層設定好,這時可以削比較好後的幾個層次.
Invert:轉換極性用,象現在削內層正片,就必須把外圍轉成負的去削,所以選Yes
如果削負片的外圍是用正的去削,選No
(4)下面引數一般都不設定,點OK即可.值得注意的是,Resize By:是在原來基礎上加大多少的意思.要設定的話一定要弄清楚再填數字.
10,檢測並根據結果修正 AnalysisàSignal Layer Checks…
本操作是用來查帳訊號層和混合層潛在的工藝性缺陷,並生成統計報告.所以本操作不 會去自動修改.
(1) 引數設定(稍微比優化時的數值大點,以便讓系統全部檢測到,然後根據結果對報告有問題的地方去做手動修改)
ERF: Inner Layer: .Affected
Spacing: 定義各種物件之間的間距的搜尋半徑
Rout to Cu: 定義成型線到銅邊的搜尋半徑
Drill to Cu: 定義鑽孔邊緣到銅邊的搜尋半徑及最大的AR
Sliver Min: 會被報告的最大細線寬度
Test List: 檢查專案
Spacing √ 報告各種物件之間的間距的違規
Size √ 報告各種物件的大小
Drill √ 與鑽孔有關的報告
Sliver √ 報告細線
Rout √ 與成型有關的報告
SMD 報告與SMD有關的東西
Check Missing Pads For Drills: 是否測量缺Pad
Use Compensated Rout: 是否要鑼刀補償
Sort Spacing By Solder Mask: 是否區分被防焊覆蓋或未覆蓋
(2) 報告結果
報告結果一般都很多,報告專案格式一般是:
問題描述(檢查專案類別) 例如:SMD to SMD(Spacing)為SMD到SMD的距離
列表如下:
[具體意思自己在練習中結合圖形體會,同時也可參考Genesis2000基礎培訓教程]
常見報告結果圖例 qPad to Pad (Spacing): Pad 到 Pad 的距離
qCAD Short (Spacing): 屬於不同 CAD nets 的物件短路
qCAD Self Spacing (Spacing): 屬於同 CAD net 的物件沒接觸但距離太近
附：
一、物件過濾器選SMD Pad
原作者： FPC