LED驅動芯片製造主要是為了製造有效可靠的低歐姆接觸電極，並能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊，同時儘可能多地出光。
方法/步驟
渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化，並在低氣壓下變成金屬蒸氣沉積在半導體材料表面。一般所用的P型接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金，N面的接觸金屬常採用AuGeNi合金。鍍膜後形成的合金層還需要通過光刻工藝將發光區儘可能多地露出來，使留下來的合金層能滿足有效可靠的低歐姆接觸電極及焊線壓墊的要求。光刻工序結束後還要通過合金化過程，合金化通常是在H2或N2的保護下進行。合金化的時間和溫度通常是根據半導體材料特性與合金爐形式等因素決定。當然若是藍綠等LED驅動芯片電極工藝還要複雜，需增加鈍化膜生長、等離子刻蝕工藝等。
LED驅動芯片的製造工藝流程：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→幹法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。
其實外延片的生產製作過程是非常複雜的，在展完外延片後，下一步就開始對LED外延片做電極（P極，N極），接著就開始用激光機切割LED外延片（以前切割LED外延片主要用鑽石刀），製造成芯片後，在晶圓上的不同位置抽取九個點做參數測試。
1、 主要對電壓、波長、亮度進行測試，能符合正常出貨標準參數的晶圓片再繼續做下一步的操作，如果這九點測試不符合相關要求的晶圓片，就放在一邊另外處理。
2 晶圓切割成芯片後，100%的目檢（VI/VC），操作者要使用放大30倍數的顯微鏡下進行目測。
3、接著使用全自動分類機根據不同的電壓，波長，亮度的預測參數對芯片進行全自動化挑選、測試和分類。
4、最後對LED驅動芯片進行檢查（VC）和貼標籤。芯片區域要在藍膜的中心，藍膜上最多有5000粒芯片，但必須保證每張藍膜上芯片的數量不得少於1000粒，芯片類型、批號、數量和光電測量統計數據記錄在標籤上，附在蠟光紙的背面。藍膜上的芯片將做最後的目檢測試與第一次目檢標準相同，確保芯片排列整齊和質量合格。這樣就製成LED驅動芯片（目前市場上統稱方片）。在LED驅動芯片製作過程中，把一些有缺陷的或者電極有磨損的芯片，分撿出來，這些就是後面的散晶，此時在藍膜上有一些不符合正常出貨要求的晶片，也就自然成了邊片或毛片等。