今日半導體元件的材料通常以矽（silicon）為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如IBM使用矽與鍺（germanium）的混合物所發展的矽鍺製程（silicon-germanium process,SiGe process）。而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料，如砷化鎵（gallium arsenide,GaAs），因為無法在表面長出品質夠好的氧化層，所以無法用來製造MOSFET元件。
當一個夠大的電位差施於MOSFET的柵極與源極（source）之間時，電場會在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷，而這時所謂的“反型層”（inversion channel）就會形成。通道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設漏極和源極是N型，那麼通道也會是N型。通道形成後，MOSFET即可讓電流通過，而依據施於柵極的電壓值不同，可由MOSFET的通道流過的電流大小亦會受其控制而改變。