M5576是一款高整合度、高效能、電流模式PWM控制晶片，離線式AC-DC反激拓撲結構，具備低待機功耗和低成本優點。M5576可以很好的與GR8830互相替換，PIN對PIN相容。M5576還具有完善的保護功能，包括自動恢復保護、逐週期電流限制（OCP）、過載保護（OLP）、VDD的欠壓鎖定（UVLO）、過溫保護（OTP）和過電壓（固定或可調的）保護（OVP），具備抖頻功能，改善系統的EMI效能。
方法/步驟
啟動電流和啟動控制
M5576上電後，通過整流後電壓為連線到VDD腳的接地電容充電，當VDD腳的電壓高於UVLO閾值時，晶片迅速啟動。M5576啟動電流非常低，高阻值啟動電阻可減少功率損耗，並能在應用中穩定可靠的啟動。
工作電流
M5576工作電流低至1.8mA。擴充套件突發模式能夠實現高效率和低工作電流。
軟啟動
M5576上電後，在晶片啟動期間，內部4ms的軟啟動來降低啟動時的應力。當VDD達到VDD_OFF，SEN尖峰電壓由0.15V逐漸升高增至最大。每次重啟後都會重新軟啟動。
頻率抖動干擾的改進
M5576集成了頻率抖動（開關頻率調製）功能進行擴頻，最大限度地降低了EMI頻寬，簡化了系統設計。
振盪器
開關頻率固定在65kHz ，PCB設計簡化。
電流檢測和前沿消隱
M5576是電流模式PWM控制，提供逐週期電流限制。開關電流是通過一個電阻接到SEN引腳來檢測。內部的前沿消隱電路會遮蔽掉電壓尖峰內部功率MOSFET的初始狀態，由於緩衝二極體反向恢復電流和DRV功率MOSFET浪湧電流造成的檢測電壓尖峰，導致電流限制比較器被遮蔽，無法關斷功率MOSFET。PWM的佔空比是由SEN電流檢測輸入電壓和COMP輸入電壓計算確定的。
跳週期模式操作
在輕載或空載狀態，開關電源的功耗來源於開關MOSFET的損耗、變壓器磁心損耗和啟動電路損耗，功率損耗的大小在於開關頻率的比例。較低的開關頻率，能降低功率損耗，從而節約了能源。
開關頻率在空載或輕載條件下自行調節，降低開關頻率在輕載、空載的情況下可以提高轉換效率。只有當VDD電壓下降到低於預先設定的值且COMP電壓處在適當狀態的時候，DRV驅動才處於開啟狀態，否則，DRV驅動將處於關閉狀態來最大程度的降低開關損耗和待機損耗。
內部同步斜坡補償
內部斜坡補償電路是將一個斜坡電壓加入SEN引腳輸入電壓來幫忙生成PWM訊號，它大大提高了在CCM下的閉環穩定性，防止次諧波振盪，從而降低輸出紋波電壓。
驅動
功率MOSFET是由專用DRV驅動功率開關驅動控制。DRV驅動強度越弱，功率管的導通損耗和MOSFET開關損耗就越大；而DRV驅動越強，直接影響EMI效能。
一個很好的權衡方法為通過內建的圖騰柱柵驅動設計，適當的驅動能力和DRV設計合適的死區時間來實現控制。通過這種設計很容易達到良好的電磁系統的設計和降低空載損耗的目的。
保護控制
好的電源系統的可靠性需要有自動恢復特性的保護功能，包括逐週期電流限制（OCP），過載保護（OLP）和VDD的欠壓保護（UVLO）；無鎖存關閉功能還包括過溫保護（OTP），固定或可調的VDD電壓保護（OVP）。在全電範圍內，OCP被補償後達到恆定輸出功率。
在過載條件下，當COMP輸入電壓超過TD_PL功率極限閾值時，控制電路會關閉轉換器。只有在輸入電壓低於閾值功率極限後才重新啟動。