晶片內部連線導線的寄生電容效應?

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。傳統上，CMOS邏輯閘的切換速度與其元件的柵極電容有關。但是當柵極電容隨著MOSFET尺寸變小而減少，同樣大小的晶片上可容納更多電晶體時，連線這些電晶體的金屬導線間產生的寄生電容效應就開始主宰邏輯閘的切換速度。如何減少這些寄生電容，成了晶片效率能否向上突破的關鍵之一。