記憶體的基本知識

　　關於記憶體，不少人都知道它是電腦裡面一個重要的部件，但是對於再深入的瞭解，恐怕就沒有了吧。下面小編就為大家介紹一下關於吧，歡迎大家參考和學習。

　　1　1.你知道最新的RAM技術詞彙嗎?

　　介紹一些最新的RAM技術詞彙

　　CDRAM-Cached DRAM——快取記憶體儲存器

　　CVRAM-Cached VRAM——快取記憶體視訊儲存器

　　DRAM-Dynamic RAM——動態儲存器

　　EDRAM-Enhanced DRAM——增強型動態儲存器

　　EDO RAM-Extended Date Out RAM——外擴充資料模式儲存器

　　EDO SRAM-Extended Date Out SRAM——外擴充資料模式靜態儲存器

　　EDO VRAM-Extended Date Out VRAM——外擴充資料模式視訊儲存器

　　FPM-Fast Page Mode——快速頁模式

　　FRAM-Ferroelectric RAM——鐵電體儲存器

　　SDRAM-Synchronous DRAM——同步動態儲存器

　　SRAM-Static RAM——靜態儲存器

　　SVRAM-Synchronous VRAM——同步視訊儲存器

　　3D RAM-3 DIMESION RAM——3維視訊處理器專用儲存器

　　VRAM-Video RAM——視訊儲存器

　　WRAM-Windows RAM——視訊儲存器***圖形處理能力優於VRAM***

　　MDRAM-MultiBank DRAM——多槽動態儲存器

　　SGRAM-Signal RAM——單口儲存器

　　2.儲存器有哪些主要技術指標

　　儲存器是具有“記憶”功能的裝置，它用具有兩種穩定狀態的物理器件來表示二進位制數碼 “0”和“1”，這種器件稱為記憶元件或記憶單元。記憶元件可以是磁芯，半導體觸發器、 MOS電路或電容器等。 位***bit***是二進位制數的最基本單位，也是儲存器儲存資訊的最小單位，8位二進位制數稱為一 個位元組***Byte***，可以由一個位元組或若干個位元組組成一個字***Word***在PC機中一般認為1個或 2個位元組組成一個字。若干個憶記單元組成一個儲存單元，大量的儲存單元的集合組成一個 儲存體***MemoryBank***。 為了區分儲存體內的儲存單元，必須將它們逐一進行編號，稱為地址。地址與儲存單元之間 一一對應，且是儲存單元的唯一標誌。應注意儲存單元的地址和它裡面存放的內容完全是兩 回事。

　　根據儲存器在計算機中處於不同的位置，可分為主儲存器和輔助儲存器。在主機內部，直接 與CPU交換資訊的儲存器稱主儲存器或記憶體儲器。在執行期間，程式的資料放在主儲存器 內。各個儲存單元的內容可通過指令隨機讀寫訪問的儲存器稱為隨機存取儲存器***RAM***。另 一種儲存器叫只讀儲存器***ROM***，裡面存放一次性寫入的程式或資料，僅能隨機讀出。RAM 和ROM共同分享主儲存器的地址空間。

　　RAM中存取的資料掉電後就會丟失，而掉電後ROM中 的資料可保持不變。 因為結構、價格原因，主儲存器的容量受限。為滿足計算的需要而採用了大容量的輔助儲存 器或稱外儲存器，如磁碟、光碟等。 儲存器的特性由它的技術引數來描述。

　　儲存容量：儲存器可以容納的二進位制資訊量稱為儲存容量。一般主儲存器***記憶體***容量在幾 十K到幾十M位元組左右;輔助儲存器***外存***在幾百K到幾千M位元組。

　　存取週期：儲存器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將資訊在儲存單元與儲存暫存器 ***MDR***之間進行讀寫。儲存器從接收讀出命令到被讀出資訊穩定在MDR的輸出端為止的時間 間隔，稱為取數時間TA;兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為儲存週期TMC。半導 體儲存器的存取週期一般為60ns-100ns。

　　儲存器的可靠性：儲存器的可靠性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩 次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，表示可靠性越高，即保持正確工作能力越強。

　　效能價格比：效能主要包括儲存器容量、儲存週期和可靠性三項內容。效能價格比是一個 綜合性指標，對於不同的儲存器有不同的要求。對於外儲存器，要求容量極大，而對緩衝存 儲器則要求速度非常快，容量不一定大。因此效能/價格比是評價整個儲存器系統很重要的 指標。

　　SDARM能成為下一代記憶體的主流嗎

　　快頁模式***FPM***DRAM的黃金時代已經過去。隨著高效記憶體積體電路的出現和為優化Pentium 晶片執行效能而設計的INTEL HX、VX等核心邏輯晶片組的支援，人們越來越傾向於採用擴 展資料輸出***EDO***DRAM。 EDO DRAM採用一種特殊的記憶體讀出電路控制邏輯，在讀寫一個地址單元時，同時啟動下一 個連續地址單元的讀寫週期。從而節省了重選地址的時間，使儲存匯流排的速率提高到 40MHz。也就是說，與快頁記憶體相比，記憶體效能提高了將近15%～30%，而其製造成本與快頁 記憶體相近。

　　但是EDO記憶體也只能輝煌一時，其稱霸市場的時間將極為短暫。不久以後市場上主流CPU的 主頻將高達200MHz以上。為優化處理器執行效能，匯流排時鐘頻率至少要達到66MHz以上。 多媒體應用程式以及Windows 95和Windows NT作業系統對記憶體的要求也越來越高，為緩解 瓶頸，只有採用新的記憶體結構，以支援高速匯流排時鐘頻率，而不至於插入指令等待週期。

　　這樣，為適應下一代主流CPU的需要，在理論上速度可與CPU頻率同步，與CPU共享一個時鐘 週期的同步DRAM***SYNCHRONOUS DRAMS***即SDRAM***注意和用作CACHE的SRAM區別，SRAM的全 寫是Static RAM即靜態RAM，速度雖快，但成本高，不適合做主存***應運而生，與其它記憶體 結構相比，效能\價格比最高，勢必將成為記憶體發展的主流。

　　SDRAM基於雙儲存體結構，內含兩個交錯的儲存陣列，當CPU從一個儲存體或陣列訪問資料 的同時，另一個已準備好讀寫資料。通過兩個儲存陣列的緊密切換，讀取效率得到成倍提 高。去年推出的SDRAM最高速度可達100MHz，與中檔Pentium同步，儲存時間高達5～ 8ns，可將Pentium系統性能提高140%，與Pentium 100、133、166等每一檔次只能提高性 能百分之幾十的CPU相比，換用SDRAM似乎是更明智的升級策略。

　　在去年初許多DRAM生產廠家已開始上市4MB×4和2MB×8的16MB SDRAM記憶體條，但其成本 較高。現在每一個記憶體生產廠家都在擴建SDRAM生產線。預計到今年底和1998年初，隨著 64M SDRAM記憶體條的大量上市，SDRAM將佔據主導地位。其價格也將大幅下降。

　　但是SDRAM的發展仍有許多困難要加以克服，其中之一便是主機板核心邏輯晶片組的限制。VX 晶片組已開始支援168線SDRAM，但一般VX主機板只有一條168線記憶體槽，最多可上32M SDRAM，而簡潔高效的HX主機板則不支援SDRAM。預計下一代Pentium主機板晶片組TX將更好 的支援SDRAM。Intel最新推出的下一代Pentium主機板晶片組TX將更好的支援SDRAM。

　　SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡專用記憶體方面也有廣泛應用。對顯示卡來說，資料頻寬越 寬，同時處理的資料就越多，顯示的資訊就越多，顯示質量也就越高。以前用一種可同時進 行讀寫的雙埠視訊記憶體***VRAM***來提高頻寬，但這種記憶體成本高，應用受很大限制。因此在 一般顯示卡上，廉價的DRAM和高效的EDO DRAM應用很廣。但隨著64位顯示卡的上市，帶 寬已擴大到EDO DRAM所能達到的頻寬的極限，要達到更高的1600×1200的解析度，而又盡 量降低成本，就只能採用頻率達66MHz、高頻寬的SDRAM了。

　　SDRAM也將應用於共享記憶體結構***UMA***——一種整合主存和顯示記憶體的結構。這種結構在很 大程度上降低了系統成本，因為許多高效能顯示卡價格高昂，就是因為其專用顯示記憶體成本 極高，而UMA技術將利用主存作顯示記憶體，不再需要增加專門顯示記憶體，因而降低了成本。

　　什麼是Flash Memory 儲存器

　　介紹關於閃速儲存器有關知識 近年來，發展很快的新型半導體儲存器是閃速儲存器***Flash Memory***。它的主要特點是在不 加電的情況下能長期保持儲存的資訊。就其本質而言，Flash Memory屬於EEPROM***電擦除可 程式設計只讀儲存器***型別。它既有ROM的特點，又有很高的存取速度，而且易於擦除和重寫， 功耗很小。目前其整合度已達4MB，同時價格也有所下降。 由於Flash Memory的獨特優點，如在一些較新的主機板上採用Flash ROM BIOS，會使得BIOS 升級非常方便。

　　Flash Memory可用作固態大容量儲存器。目前普遍使用的大容量儲存器仍為硬碟。硬碟雖 有容量大和價格低的優點，但它是機電裝置，有機械磨損，可靠性及耐用性相對較差，抗衝 擊、抗振動能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬碟的手段。由於Flash Memory集 成度不斷提高，價格降低，使其在便攜機上取代小容量硬碟已成為可能。

　　目前研製的Flash Memory都符合PCMCIA標準，可以十分方便地用於各種行動式計算機中以 取代磁碟。當前有兩種型別的PCMCIA卡，一種稱為Flash儲存器卡，此卡中只有Flash Memory晶片組成的儲存體，在使用時還需要專門的軟體進行管理。另一種稱為Flash驅動 卡，此卡中除Flash晶片外還有由微處理器和其它邏輯電路組成的控制電路。它們與IDE標 準相容，可在DOS下象硬碟一樣直接操作。因此也常把它們稱為Flash固態盤。 Flash Memory不足之處仍然是容量還不夠大，價格還不夠便宜。因此主要用於要求可靠性 高，重量輕，但容量不大的行動式系統中。在586微機中已把BIOS系統駐留在Flash儲存 器中。

　　什麼是Shadow RAM 記憶體

　　Shadow RAM也稱為“影子”記憶體。它是為了提高系統效率而採用的一種專門技術。 Shadow RAM所使用的物理晶片仍然是CMOS DRAM***動態隨機存取儲存器***晶片。Shadow RAM 佔據了系統主存的一部分地址空間。其編址範圍為C0000～FFFFF，即為1MB主存中的 768KB～1024KB區域。這個區域通常也稱為記憶體保留區，使用者程式不能直接訪問。

　　Shadow RAM的功能是用來存放各種ROM BIOS的內容。或者說Shadow RAM中的內容是ROM BIOS的拷貝。因此也把它稱為ROM Shadow***即Shadow RAM的內容是ROM BIOS的“影 子”***。 在機器上電時，將自動地把系統BIOS、顯示BIOS及其它介面卡的BIOS裝載到Shadow RAM 的指定區域中。由於Shadow RAM的物理編址與對應的ROM相同，所以當需要訪問BIOS時， 只需訪問Shadow RAM即可，而不必再訪問ROM。

　　通常訪問ROM的時間在200ns左右，而訪問DRAM的時間小於100ns***最新的DRAM晶片訪問時 間為60ns左右或者更小***。在系統執行的過程中，讀取BIOS中的資料或呼叫BIOS中的程式 模組是相當頻繁的。顯然，採用了Shadow技術後，將大大提高系統的工作效率。 按下按鍵你可以看到該地址空間分配圖,在如圖所示的1MB主存地址空間中，640KB以下的 區域是常規記憶體。640KB～768KB區域保留為顯示緩衝區。768KB～1024KB區域即為Shadow RAM區。在系統設定中，又把這個區域按16KB大小的尺寸分為塊，由使用者設定是否允許使 用。

　　C0000～C7FFF這兩個16KB塊***共32KB***通常用作顯示卡的ROM BIOS的Shadow區。 C8000～EFFFF這10個16KB塊可作為其它介面卡的ROM BIOS的Shadow區。F0000～FFFFF 共64KB規定由系統ROM BIOS使用。 應該說明的是，只有當系統配置有640KB以上的記憶體時才有可能使用Shadow RAM。在系統 記憶體大於640KB時，使用者可在CMOS設定中按照ROM Shadow分塊提示，把超過640KB以上的 記憶體分別設定為“允許”***Enabled***即可。

　　什麼是EDO RAM

　　記憶體是計算機中最主要的部件之一。微機誕生以來，它的心臟--CPU幾經改朝換代，目前已 發展到了PentiumⅡ，較之於當初，它在速度上已有兩個數量級的增長。而記憶體的構成器件 RAM***隨機儲存器***--一般為DRAM***動態隨機儲存器***，雖然單個晶片的容量不斷擴大，但存取 速度並沒有太大的提高。雖然人們早就採用高速但昂貴的SRAM晶片在CPU和記憶體之間增加 一種緩衝裝置--Cache，以緩衝兩者之間的速度不匹配問題。但這並不能根本解決問題。於 是人們把注意力集中到DRAM介面***晶片收發資料的途徑上***。

　　在RAM晶片之中，除儲存單元之外，還有一些附加邏輯電路，現在，人們已注意到RAM晶片 的附加邏輯電路，通過增加少量的額外邏輯電路，可以提高在單位時間內的資料流量，即所 謂的增加頻寬。EDO正是在這個方面作出了嘗試。

　　擴充套件資料輸出***Extended data out--EDO，有時也稱為超頁模式--hyper-page-mode***DRAM， 和突發式EDO***Bust EDO-BEDO***DRAM是兩種基於頁模式記憶體的記憶體技術。EDO大約一年前被 引入主流PC，從那以後成為許多系統廠商的主要記憶體選擇。BEDO相對更新一些，對市場的 吸引還未能達到EDO的水平。 EDO的工作方式頗類似於FPM DRAM：先觸發記憶體中的一行，然後觸發所需的那一列。但是當 找到所需的那條資訊時，EDO DRAM不是將該列變為非觸發狀態而且關閉輸出緩衝區***這是 FPM DRAM採取的方式***，而是將輸出資料緩衝區保持開放，直到下一列存取或下一讀週期開 始。由於緩衝區保持開放，因而EDO消除了等待狀態，且突發式傳送更加迅速。

　　EDO還具有比FPM DRAM的6-3-3-3更快的理想化突發式讀週期時鐘安排：6-2-2-2。這使得 在66MHz總線上從DRAM中讀取一組由四個元素組成的資料塊時能節省3個時鐘週期。EDO 易於實現，而且在價格上EDO與FPM沒有什麼差別，所以沒有理由不選擇EDO。 BEDO DRAM比EDO能更大程度地改善FPM的時鐘週期。由於大多數PC應用程式以四周期突 發方式訪問記憶體，以便填充高速緩衝記憶體 ***系統記憶體將資料填充至L2快取記憶體，如果沒有 L2快取記憶體，則填充至CPU***，所以一旦知道了第一個地址，接下來的三個就可以很快地由 DRAM提供。BEDO最本質的改進是在晶片上增加了一個地址計數器，用來跟蹤下一個地址。 BEDO還增加了流水線級，允許頁訪問週期被劃分為兩個部分。

　　對於記憶體讀操作，第一部分 負責將資料從記憶體陣列中讀至輸出級***第二級鎖存***，第二部分負責從這一鎖存將資料匯流排驅 動至相應的邏輯級別。因為資料已經在輸出緩衝區內，所以訪問時間得以縮短。BEDO能達 到的最大突發式時鐘安排為5-1-1-1***採用52nsBEDO和66-MHz匯流排***比優化EDO記憶體又節省 了四個時鐘週期。

　　RAM是如何工作的

　　實際的儲存器結構由許許多多的基本儲存單元排列成矩陣形式，並加上地址選擇及讀寫控制 等邏輯電路構成。當CPU要從儲存器中讀取資料時，就會選擇儲存器中某一地址，並將該地 址上儲存單元所儲存的內容讀走。 早期的DRAM的儲存速度很慢，但隨著記憶體技術的飛速發展，隨後發展了一種稱為快速頁面 模式***Fast Page Mode***的DRAM技術，稱為FPDRAM。FPM記憶體的讀週期從DRAM陣列中某一行 的觸發開始，然後移至記憶體地址所指位置的第一列並觸發，該位置即包含所需要的資料。第 一條資訊需要被證實是否有效，然後還需要將資料存至系統。一旦發現第一條正確資訊，該 列即被變為非觸發狀態，併為下一個週期作好準備。這樣就引入了“等待狀態”，因為在該 列為非觸發狀態時不會發生任何事情***CPU必須等待記憶體完成一個週期***。

　　直到下一週期開始 或下一條資訊被請求時，資料輸出緩衝區才被關閉。在快頁模式中，當預測到所需下一條數 據所放位置相鄰時，就觸發資料所在行的下一列。下一列的觸發只有在記憶體中給定行上進行 順序讀操作時才有良好的效果。 從50納秒FPM記憶體中進行讀操作，理想化的情形是一個以6-3-3-3形式安排的突發式週期 ***6個時鐘週期用於讀取第一個資料元素，接下來的每3個時鐘週期用於後面3個數據元 素***。第一個階段包含用於讀取觸發行列所需要的額外時鐘週期。一旦行列被觸發後，記憶體 就可以用每條資料3個時鐘週期的速度傳送資料了。 FP RAM雖然速度有所提高，但仍然跟不上新型高速的CPU。很快又出現了EDO RAM和SDRAM等新型高速的記憶體晶片。

　　介紹處理器快取記憶體的有關知識

　　所謂快取記憶體，通常指的是Level 2快取記憶體，或外部快取記憶體。L2快取記憶體一直都屬於 速度極快而價格也相當昂貴的一類記憶體，稱為SRAM***靜態RAM***，用來存放那些被CPU頻繁使 用的資料，以便使CPU不必依賴於速度較慢的DRAM。 最簡單形式的SRAM採用的是非同步設計，即CPU將地址傳送給快取記憶體，由快取查詢這個地 址，然後返回資料。每次訪問的開始都需要額外消耗一個時鐘週期用於查詢特徵位。這樣， 非同步快取記憶體在66MHz總線上所能達到的最快響應時間為3-2-2-2，而通常只能達到4-2-2- 2。

　　同步快取記憶體用來快取傳送來的地址，以便把按地址進行查詢的過程分配到兩個或更多 個時鐘週期上完成。SRAM在第一個時鐘週期內將被要求的地址存放到一個暫存器中。在第 二個時鐘週期內，SRAM把資料傳送給CPU。由於地址已被儲存在一個暫存器中，所以接下來 同步SRAM就可以在CPU讀取前一次請求的資料同時接收下一個資料地址。這樣，同步SRAM 可以不必另花時間來接收和譯碼來自晶片集的附加地址，就“噴出”連續的資料元素。優化 的響應時間在66MHz總線上可以減小為2-1-1-1。

　　另一種型別的同步SRAM稱為流水線突發式***pipelined burst***。流水線實際上是增加了一個 用來快取從記憶體地址讀取的資料的輸出級，以便能夠快速地訪問從記憶體中讀取的連續資料， 而省去查詢記憶體陣列來獲取下一資料元素過程中的延遲。流水線對於順序訪問模式，如高速 快取的行填充***linefill***最為高效。

　　什麼是ECC記憶體

　　ECC是Error Correction Coding或Error Cheching and Correcting的縮寫，它代表具有 自動糾錯功能的記憶體。目前的ECC儲存器一般只能糾正一位二進位制數的錯誤。 Intel公司的82430HX晶片組可支援ECC記憶體，所以採用82430HX晶片的主機板一般都可以安 裝使用ECC記憶體，由於ECC記憶體成本比較高，所以它主要應用在要求系統運算可靠性比較高 的商業計算機中。 由於實際上儲存器出錯的情況不會經常發生，所以一般的家用計算機不必採用ECC記憶體，還 有不少控制電路晶片不能支援ECC記憶體，所以有不少主機是不宜安裝ECC記憶體的，使用者應注 意對ECC記憶體不要盲從。

　　SDRAM能與EDO RAM混用嗎

　　SDRAM是新一代的動態儲存器，又稱為同步動態儲存器或同步DRAM。它可以與CPU匯流排使用 同一個時鐘，而EDO和FPM儲存器則與CPU匯流排是非同步的。目前SDRAM儲存器的讀寫週期一 般為5-1-1-1。相比之下，EDO記憶體器一般為6-2-2-2。也就是說，SDRAM的讀寫週期比EDO 少4個，大約節省儲存器讀寫時間28%，但實際上由於計算機內其它裝置的制約，使用 SDRAM的計算機大約可提高效能5～10%。 雖然有不少主機支援SDRAM與EDO記憶體混合安裝方式，但是最好不要混用。原因是多數 SDRAM只能在3.3V下工作，而EDO記憶體則多數在5V下工作。

　　雖然主機板上對DIMM和SIMM 分別供電，但它們的資料線總是要連在一起的，如果SIMM***72線記憶體***與DIMM***168線SDRAM*** 混用，儘管開始系統可以正常工作，但可能在使用一段時間後，會造成SDRAM的資料輸入端 被損壞。 當然，如果你的SDRAM是寬電壓***3V～5V***工作的產品，就不會出現這種損壞情況。目前T1 和SUMSUNG的某些SDRAM產品支援寬電壓工作方式，可以與EDO記憶體混用。

　　快取記憶體--Cache 介紹Cache的分級

　　隨著CPU的速度的加快，它與動態儲存器DRAM配合工作時往往需要插入等待狀態，這樣難 以發揮出CPU的高速度，也難以提高整機的效能。如果採用靜態儲存器，雖可以解決該問 題，但SRAM價格高。在同樣容量下，SARM的價格是DRAM的4倍。而且SRAM體積大，整合 度低。 為解決這個問題，在386DX以上的主機板中採用了高速緩衝儲存器--Cache技術。其基本思想 是用少量的SRAM作為CPU與DRAM儲存系統之間的緩衝區，即Cache系統。 80486以及更高檔微處理器的一個顯著特點是處理器晶片內集成了SRAM作為Cache，由於這 些Cache裝在晶片內，因此稱為片內Cache。486晶片內Cache的容量通常為8K。高檔晶片 如Pentium為16KB，Power PC可達32KB。Pentium微處理器進一步改進片內Cache，採用 資料和雙通道Cache技術，相對而言，片內Cache的容量不大，但是非常靈活、方便，極大 地提高了微處理器的效能。

　　片內Cache也稱為一級Cache。 由於486，586等高檔處理器的時鐘頻率很高，一旦出現一級Cache未命中的情況，效能將 明顯惡化。在這種情況下采用的辦法是在處理器晶片之外再加Cache，稱為二級Cache。二 級Cache實際上是CPU和主存之間的真正緩衝。由於系統板上的響應時間遠低於CPU的速 度，如果沒有二級Cache就不可能達到486，586等高檔處理器的理想速度。 二級Cache的容量通常應比一級Cache大一個數量級以上。在系統設定中，常要求使用者確定 二級Cache是否安裝及尺寸大小等。二級Cache的大小一般為128KB、256KB或512KB。 在486以上檔次的微機中，普遍採用256KB或512KB同步Cache。所謂同步是指Cache和 CPU採用了相同的時鐘週期，以相同的速度同步工作。相對於非同步Cache，效能可提高30% 以上。

　　什麼是CACHE儲存器

　　所謂Cache，即高速緩衝儲存器，是位於CPU和主儲存器DRAM***Dynamic RAM***之間的規模較 小的但速度很高的儲存器，通常由SRAM組成。SRAM***Static RAM***是靜態儲存器的英文縮 寫。由於SRAM採用了與製作CPU相同的半導體工藝，因此與動態儲存器DRAM比較，SRAM 的存取速度快，但體積較大，價格很高。

　　由於動態RAM組成的主儲存器的讀寫速度低於CPU 的速度，而CPU每執行一條指令都要訪問一次或多次主存，所以CPU總是要處於等待狀態， 嚴重地降低了系統的效率。採用Cache之後，在Cache中儲存著主儲存器內容的部分副本， CPU在讀寫資料時，首先訪問Cache。由於Cache的速度與CPU相當，因此CPU就能在零等 待狀態下迅速地完成資料的讀寫。只有Cache中不含有CPU所需的資料時，CPU才去訪問主 存。CPU在訪問Cache時找到所需的資料稱為命中，否則稱為未命中。因此，訪問Cache的 命中率則成了提高效率的關鍵。而提高命中率則取決於Cache儲存器的映象方式和Cache內 容替換的演算法等一系列因素。

　　對記憶體擴容時應遵循哪些規則

　　對記憶體擴充容量時，應遵循下面的一些規則：

　　1.對大多數PC機來說，不能在同一組Bank內***每組包括兩到四個插座***將不同大小的SIMM 條混合在一起。很多PC機都可安裝不同容量的SIMM，但裝在PC機同一組中的所有SIMM必 須具有相同的容量，例如，對一個四插槽組來說，PC機一般既可接受1MB的SIMM條，也可 接受4MB的SIMM條，可在該組的每個槽內安裝1MB SIMM，則這一組共可容納4MB記憶體。也 可在該組每個槽內安裝4MB SIMM，則這一組共可容納16MB記憶體。但是，不能為了得到10MB 記憶體，在兩個槽內插入1MB的SIMM條，而在另兩個槽中插入4MB的SIMM條。

　　2.對於很多PC機來說，若把不同速度的SIMM混合在一起，即使它們的容量相同也會帶來麻 煩。例如，計算機中已有執行速度為60納秒***ns***的4MB記憶體，而文件中說70ns的SIMM也 能工作。如果在母板的空閒記憶體槽中再插入速度為70ns的SIMM條，機器會拒絕引導或在啟 動後不久就陷於崩潰。對於某些機器來說，若把速度低的SIMM放至第一組，則可解決速度 混合問題。計算機會按最低速度存取，剩餘部分不會再有用。

　　3.對於大多數PC機來說，必須將一組的所有插槽都插滿。或者將一組全部置空***當然第一組 不行***。在一組中不能只裝一部分。

　　4.PC機可接受的SIMM大小有一個上限***最大值可從PC機說明書中找到。若沒有說明書，唯 一的方法就是從實踐中找到最大值了***。 何謂30線、72線、168線記憶體條 記憶體條;30線;72線;168線 介紹30線、72線、168線記憶體條的有關知識及相互之間的區別 條形儲存器是把一些儲存器晶片焊在一小條印製電路板上做成的，即稱之為記憶體條，所謂內 存條線數即引腳數，按引腳數不同可把記憶體條分為30線的記憶體條、72線的記憶體條***SIMM， 即Sigle inline Memory Modale***和168線的記憶體條***DIMM，即Double inline Memory Module***。

　　記憶體條的引腳數必須與主機板上記憶體槽的插腳數相匹配，記憶體條插槽也有30線、72 線和168線三種。 30線記憶體條提供8位有效資料位。常見容量有256KB、1MB和4MB。72線的記憶體條體積稍大，提供32位的有效資料位。常見容量有4MB、8MB、16MB和32MB。 按下按鍵你可以看到72線記憶體條的外觀形狀。 168線的記憶體條體積較大，提供64位有效資料位。

　　如何識別Cache儲存器晶片標誌

　　目前微機系統中，常用的靜態RAM的容量有8K×8位***64Kbit***、32K×8***256Kbit***位以及 64K×8***512Kbit***位三種晶片，存取時間***週期***為15ns到30ns。以上引數在靜態SRAM晶片 上常標註為：XX64-25***XX65-25***、XX256-15***XX257-15***、XX512-15等。 以XX256-15為例，其中“256”表示容量***單位為Kbit***，“15”表示存取時間***單位為 ns***。 在表示SRAM儲存器容量的數值中，“64”與“65”相同，都表示該晶片的容量為64Kbit， 即8KB。同理，“256”與“257”的含義也相同，即該晶片的容量為32KB。

　　例如在華碩 PVI686SP3主機板上使用的SRAM晶片為W24257AK-15，即該晶片的容量為32K×8位，存取速 度為15ns。 如何用軟體的方法檢測Cache? 檢測;快取記憶體;Cache 介紹用軟體檢測Cache的方法 主機板上Cache的大小和有無很難用一般方法判斷，尤其是有的主機板連BIOS都被不法經銷商 修改過以方便作假。486時代常用的拔插法現在也不靈了——奔騰主機板上很多標稱256K的 Cache晶片都是直接SMT***表面安裝***上去的，無法拔插。測試Cache的軟體確實有一些，如 CCT等，但普通使用者很難得到這些專業軟體。