GIS局部放電主要由下列缺陷引發：1)載流導體表面缺陷：如毛刺，尖角等引起導體表面電場強度不均勻，這種缺陷通常是在製造或安裝時造成的，在穩定的工頻電壓下不易引起擊穿，但在操作或衝擊電壓下很可能引起擊穿；2)絕緣子表面缺陷：如製造質量不良，絕緣子有氣泡或裂紋，安裝遺留下的汙跡，塵埃等；3)GIS筒內在製造和安裝過程中存在的自由導電微粒；4)導體部分接觸不良。
局部放電特高頻法（UHF）是近年來發展起來的現場檢測技術，它通過檢測GIS內絕緣隱患在運行電壓下輻射的電磁波，來判斷GIS內部是否發生局部放電。UHF超高頻法的最大優特是可有效地抑制現場噪聲（如電暈放電），且對所有類型的局放缺陷均具有較高的敏感度。由於UHF信號頻率高，具有很強的穿透性，在經過絕緣子時可以通過絕緣子與金屬法蘭的接縫輻射到GIS外部，故可使用體外檢測方式，在盆式絕緣子外部測量到GIS內部的UHF信號。而對於新安裝或大修後遺留在GIS內部的懸浮微粒缺陷，採用超聲波法通常具有較好的檢測效果，並且可以確定缺陷的部位。
PDM2000型局放在線檢測儀，具有下述特點：1)同時測量局部放電產生的超高頻和超聲波信號，能充分發揮兩種不同檢測技術的優點，保證了對各種缺陷的檢測靈敏度，提高了在複雜現場干擾環境下局部放電信號的辨識能力；2)採用體外檢測技術，只要把UHF特高頻傳感器靠近運行中的GIS盆式絕緣子附近，或者把AE超聲波傳感器貼在GIS金屬外殼上，就可對GIS內部可能存在的局部放電缺陷進行檢測，不需對GIS做任何的改動，也不需停電，更不會影響GIS的正常運行；3)靈敏度高達5pC，完全滿足現場檢測的要求；4)實時顯示8種局部放電圖譜，包含了當前國際上流行的全部分析功能，並附以簡單明瞭的Meter顯示模式，為分析局部放電類型及特徵提供有效手段。
原作者： 聖泰實時