內存時序是什麼意思?

General 更新 2024-11-21

誰解釋一下內存時序是什麼

FSB：DRAM 是CPU外頻與內存單向運行頻率的比值

內存時序是一種參數，一般存儲在內存條的SPD上。2-2-2-8 4個數字的含義依次為：CAS Latency（簡稱CL值）內存CAS延遲時間，他是內存的重要參數之一，某些牌子的內存會把CL值印在內存條的標籤上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），內存行地址傳輸到列地址的延遲時間。Row－precharge Delay（tRP），內存行地址選通脈衝預充電時間。Row－active Delay（tRAS），內存行地址選通延遲。這是玩家最關注的4項時序調節，在大部分主板的BIOS中可以設定，內存模組廠商也有計劃的推出了低於JEDEC認證標準的低延遲型超頻內存模組，在同樣頻率設定下，最低“2-2-2-5”這種序列時序的內存模組確實能夠帶來比“3-4-4-8”更高的內存性能，幅度在3至5個百分點。

什麼是內存時序內存時序設置詳解

CASLatency Control（TCL）

Settings = Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5

這是最重要的內存參數之一，通常玩家說明內存參數時把它放到第一位，例如3-4-4-8@275mhz，表示cl為3。通常2可以達到更好的性能，但3能提供更佳的穩定性。值得注意的是，WinbondBH-5/6芯片可能無法設為3。

內存時序裡面的時鐘是什麼意思數值怎麼看越大越好還是越小越好？我的這內存如何？ 10分

裡面的時鐘表示時鐘個數，DDR3沒個時鐘的時間是1.25ns, 13個時鐘就是延遲16.25ns。

所以這個值是越小越好。

你的是DDR3 32GB 1866Mhz的內存

1866的內存裡面的幾個默認關鍵值是CL-TRCD-TRP(13-13-13)，

所以你的內存只能說是符合標準，優秀不優秀要用軟件測性能

內存時序的參數簡介

上面的表格展示的是一次普通的DRAM存儲週期。首先，行地址信息會被送到DRAM中，經歷了tRCD這段時間之後，行地址已經進行了“選通”。由於現今的存儲器一般是SDRAM，我們可以一次多多個列提取信息，而每一次讀取需要tCAS(R)這麼多的時間。當列操作結束時，DRAM需要tRP這麼多的時間進行預充電，以便為下一次存取操作做準備。而一般來說，tRAS > tRCD + tCAS + 2，這是因為需要留足夠的時間給存取的數據去“流動”。經過這樣的瞭解，我們可以通俗的理解這幾個參數：tCAS：列尋址所需要的時鐘週期（週期的數量表示延遲的長短）tRCD：行尋址和列尋址時鐘週期的差值tRP：在下一個存儲週期到來前，預充電需要的時鐘週期tRAS：對某行的數據進行存儲時，從操作開始到尋址結束需要的總時間週期一、內存延遲時序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的設置首先，需要在BIOS中打開手動設置，在BIOS設置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS設置中可能出現的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，將其值設為“Manual”（視BIOS的不同可能的選項有：On/Off或Enable/Disable），如果要調整內存時序，應該先打開手動設置，之後會自動出現詳細的時序參數列表：Command Per Clock(CPC)可選的設置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由於DDR內存的尋址，先要進行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進行），然後才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個參數的含義就是指在P-Bank選擇完之後多少時間可以發出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時鐘週期。顯然，也是越短越好。但當隨著主板上內存模組的增多，控制芯片組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩定性。因此當你的內存插得很多而出現不太穩定的時間，才需要將此參數調長。大部分主板都會自動設置這個參數。該參數的默認值為Disable(2T)，如果玩家的內存質量很好，則可以將其設置為Enable(1T)。CAS Latency Control(tCL)可選的設置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。一般我們在查閱內存的時序參數時，如“3-4-4-8”這一類的數字序列，上述數字序列分別對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個3就是第1個參數，即CL參數。CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“內存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”。CAS控制從接受一個指令到執行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進制的地址，或者說是內存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數，在穩定的前提下應該儘可能設低。內存是根據行和列尋址的，當請求觸發後，最初是tRP(Row Precharge)，預充電後，內存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活後，RAS(Row Address Strobe)開始進行需要數據的尋址。首先是行地址，然後行列轉換tRCD(RAS to......

內存時序底有什麼作用

可以理解為內存時序數值越小內存的速度就越快

但是內存頻率越高的話內存時序也相應升高，1600MHZ的內存這個時序是正常的

超內存的話不緊可以提高頻率，也可以通過更改時序來提高內存速度

但是時序的時間越小，內存越不穩定。相反越穩定

這個網站你去看看什麼都清楚了

不用改改到777 21也沒多大效果的那個速度只有軟件才測的出來人是感覺不到的

內存時序高好還是低好

相同頻率的內存，時序越低越好。

時序裡的CL-TRCD-TRP(11-11-11)，表示11個時鐘，在1600Mhz的內存裡默認時序是11-11-11， 1333Mhz默認是9-9-9.

所以1600Mhz的內存，時序9-9-9的比1600Mhz 11-11-11時序的內存要快謝謝。

常見的超頻，除了改頻率1333 到 1600Mhz, 高手還會改時序

內存條怎麼選擇時序怎麼看的

一種參數，一般存儲在內存條的SPD上。2-2-2-8 4個數字的含義依次為：CAS Latency（簡稱CL值）內存CAS延遲時間，他是內存的重要參數之一，某些牌子的內存會把CL值印在內存條的標籤上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），內存行地址傳輸到列地址的延遲時間。Row－precharge Delay（tRP），內存行地址選通脈衝預充電時間。Row－active Delay（tRAS），內存行地址選通延遲。這是玩家最關注的4項時序調節，在大部分主板的BIOS中可以設定，內存模組廠商也有計劃的推出了低於JEDEC認證標準的低延遲型超頻內存模組，在同樣頻率設定下，最低“2-2-2-5”這種序列時序的內存模組確實能夠帶來比“3-4-4-8”更高的內存性能，幅度在3至5個百分點。

在一些技術文章裡介紹內存設置時序參數時，一般數字“A-B-C-D”分別對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，現在你該明白“2-3-3-6”是什麼意思了吧？！^_^下面就這幾個參數及BIOS設置中影響內存性能的其它參數逐一給大家作一介紹：

一、內存延遲時序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的設置

首先，需要在BIOS中打開手動設置，在BIOS設置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS設置中可能出現的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，將其值設為“Menual”（視BIOS的不同可能的選項有：On/Off或Enable/Disable），如果要調整內存時序，應該先打開手動設置，之後會自動出現詳細的時序參數列表：

Command Per Clock(CPC)

可選的設置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。

Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由於目前的DDR內存的尋址，先要進行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進行），然後才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個參數的含義就是指在P-Bank選擇完之後多少時間可以發出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時鐘週期。

顯然，也是越短越好。但當隨著主板上內存模組的增多，控制芯片組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩定性。因此當你的內存插得很多而出現不太穩定的時間，才需要將此參數調長。目前的大部分主板都會自動設置這個參數。

該參數的默認值為Disable(2T)，如果玩家的內存質量很好，則可以將其設置為Enable(1T)。

CAS Latency Control(tCL)

可選的設置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。

一般我們在查閱內存的時序參數時，如“3-4-4-8”這一類的數字序列，上述數字序列分別對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個3就是第1個參數，即CL參數。

CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“內存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”。CAS控制從接受一個指令到執行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進制的地址，或者說是內存矩陣中的......

內存時序是什麼意思，為什麼有的是三個一串，有的是四個一串，

一般數字“A-B-C-D”分別對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它們的含義依次為：CAS Latency（簡稱CL值）內存CAS延遲時間，它是內存的重要參數之一，某些牌子的內存會把CL值印在內存條的標籤上; RAS－to－CAS Delay（tRCD），內存行地址傳輸到列地址的延遲時間; RAS Precharge Delay丁tRP），內存行地址選通脈衝預充電時間; Row Active Delay（tRAS），內存行地址選通延遲。理論上越低越好