晶體硅太陽能電池的製造工藝流程說明，
由此可見，太陽能電池芯片的製造採用的工藝方法與半導體器件基本相同，生產的工藝設備也基本相同；“硅”是我們這個星球上儲藏最豐量的材料之一。自從19世紀科學家們發現了晶體硅的半導體特性後，它幾乎改變了一切，甚至人類的思維。20世紀末，我們的生活中處處可見“硅”的身影和作用，晶體硅太陽能電池是近15年來形成產業化最快的。
方法/步驟
切片：採用多線切割，將硅棒切割成正方形的硅片
清洗：用常規的硅片清洗方法清洗，然後用酸（或鹼）溶液將硅片表面切割損傷層除去30－50um
製備絨面：用鹼溶液對硅片進行各向異性腐蝕在硅片表面製備絨面
磷擴散：採用塗布源（或液態源，或固態氮化磷片狀源）進行擴散，製成PN＋結，結深一般為0.3－0.5um
周邊刻蝕：擴散時在硅片周邊表面形成的擴散層，會使電池上下電極短路，用掩蔽溼法腐蝕或等離子幹法腐蝕去除周邊擴散層
去除背面PN＋結。常用溼法腐蝕或磨片法除去背面PN＋結
製作上下電極：用真空蒸鍍、化學鍍鎳或鋁漿印刷燒結等工藝。先製作下電極，然後製作上電極。鋁漿印刷是大量採用的工藝方法
製作減反射膜：為了減少入反射損失，要在硅片表面上覆蓋一層減反射膜。製作減反射膜的材料有MgF2 ，SiO2 ，Al2O3 ，SiO ，Si3N4 ，TiO2 ，Ta2O5等。工藝方法可用真空鍍膜法、離子鍍膜法，濺射法、印刷法、PECVD法或噴塗法等
燒結：將電池芯片燒結於鎳或銅的底板上
測試分檔：按規定參數規範，測試分類
