絕緣柵場效電晶體
1、絕緣柵場效電晶體（MOS管）的分類：絕緣柵場效電晶體也有兩種結構形式，它們是N溝道型和P溝道型。無論是什麼溝道，它們又分為增強型和耗盡型兩種。
2、它是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導體場效電晶體，簡稱MOS場效電晶體。
3、絕緣柵型場效電晶體的工作原理(以N溝道增強型MOS場效電晶體為例)它是利用UGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然後達到控制漏極電流的目的。在製造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交介面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
場效電晶體的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型；當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之後才有漏極電流的稱為增強型。